二光子光電子分光法を用いた金属表面上に化学吸着した分子の価電子励起状態の研究
二光子光電子分光法を用いた金属表面上に化学吸着した分子の価電子励起状態の研究
批准号:
04740183
负责人:
間瀬 一彦
金额:
$0.64万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1992
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1992 至 --
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会议论文
Elucidation of the Mechanism of Activation Temperature Decrease in Oxygen-free Ti Deposited Films with Nitrided Surface
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批准号:22K04937
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2022
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负责人:間瀬 一彦
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依托单位:
表面化学吸着分子の内殻励起状態の緩和過程と脱離機構の研究
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批准号:11740176
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1999
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负责人:間瀬 一彦
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依托单位:
コインシデンス分光法による表面内殻励起に起因するダイナミックス研究
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批准号:09740253
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:間瀬 一彦
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依托单位:
光電子-光イオン・コインシデンス測定法による表面光反応ダイナミックスの研究
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批准号:07228267
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1995
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负责人:間瀬 一彦
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依托单位:
オージェ過程誘起表面ダイナミックスの研究
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批准号:07740268
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1995
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负责人:間瀬 一彦
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依托单位:
光電子-光イオン・コインシデンス測定法による表面光反応ダイナミックスの研究
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批准号:06239264
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1994
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负责人:間瀬 一彦
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依托单位:
内殻励起に起因する表面分子脱離機構の研究
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批准号:05740211
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1993
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负责人:間瀬 一彦
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依托单位: