Trägheitsballistischer Elektronentransport in Si/SiGe-Nanostrukturen

在纳米晶Si/SiGe-异质结铁电体中实现了量子弹道电子传输。Ausgehend von Modulationsdotierten Schichten ww den Quantendrähte and Nanokreuze MIT lokalen top-Gates durch Elektronenstrahl-Lithografie and Schädigungsarmes reakes Ionenätzen hergellt.一个Quantendrähten in HochMagnfeld Die Abweichugen von Elementaren Modelen der LeitwertQuantisierung untersuht.对称和不对称纳米激光在VierpenktGeometrie Strom-Spannungs-(I-V-)Kennlinien and Ihre Ableitungen Di/DV，D2L/DV2 ALS Funktion der Gate-Spannung，der Tematur and des MagnetFeldes。这是一件很重要的事情，因为它是一件很重要的事情，因为它是一件很重要的事情。在此基础上，我们将为您提供更好的服务。

Quantenballistischer Elektronentransport soll in nanoskaligen Si/SiGe-Heterofeldeffektstrukturen untersucht werden. Ausgehend von modulationsdotierten Schichten werden Quantendrähte und Nanokreuze mit lokalen top-Gates durch Elektronenstrahl-Lithografie und schädigungsarmes reaktives Ionenätzen hergestellt. An Quantendrähten werden im Hochmagnetfeld die Abweichungen von elementaren Modellen der Leitwertquantisierung untersucht. Symmetrische und asymmetrische Nanokreuze liefern in Vierpunktgeometrie Strom-Spannungs- (I-V-) Kennlinien und ihre Ableitungen dI/dV, d2l/dV2 als Funktion der Gate-Spannung, der Temperatur und des Magnetfeldes. Daraus soll auf die Entstehung nichtlokaler Spannungen durch Injektion von Elektronen in stromfreie Potenzialsonden, begrenzende Prozesse durch Wechselwirkung mit Phononen und anderen Elektronen sowie auf den Beitrag der Thermospannung durch heiße Elektronen geschlossen werden. Auf der Basis dieser Ergebnisse sollen ballistische Gleichrichter hoher Effizienz präpariert werden.