Trägheitsballistischer Elektronentransport in Si/SiGe-Nanostrukturen

量子弹道电子输运溶胶在纳米硅/硅异质阱中的应用。Ausgehend von modulationsdotierten Schichten werden Quantendrähte and nanokreze mit lokalen top-Gates durch eletronenstrahlithografie and schädigungsarmes retives Ionenätzen hergestellt。〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕〔1〕对称和非对称纳米栅极在vierpunk几何中的应用：栅极跨越- (I-V-) kennlinen和3个Ableitungen dI/dV， d2l/dV2，栅极跨越，温度和磁场的函数。2 .在stromfree Potenzialsonden， begrenzende Prozesse duch werwerden, begrenzende Prozesse duch werwerden, begrenzendes Prozesse duch werwerden, begrenzendes Prozesse duch werden, begrenzendes Elektronen geschlossen werden。在此基础上，分析了弹道动力学原理，分析了弹道动力学原理präpariert。

Quantenballistischer Elektronentransport soll in nanoskaligen Si/SiGe-Heterofeldeffektstrukturen untersucht werden. Ausgehend von modulationsdotierten Schichten werden Quantendrähte und Nanokreuze mit lokalen top-Gates durch Elektronenstrahl-Lithografie und schädigungsarmes reaktives Ionenätzen hergestellt. An Quantendrähten werden im Hochmagnetfeld die Abweichungen von elementaren Modellen der Leitwertquantisierung untersucht. Symmetrische und asymmetrische Nanokreuze liefern in Vierpunktgeometrie Strom-Spannungs- (I-V-) Kennlinien und ihre Ableitungen dI/dV, d2l/dV2 als Funktion der Gate-Spannung, der Temperatur und des Magnetfeldes. Daraus soll auf die Entstehung nichtlokaler Spannungen durch Injektion von Elektronen in stromfreie Potenzialsonden, begrenzende Prozesse durch Wechselwirkung mit Phononen und anderen Elektronen sowie auf den Beitrag der Thermospannung durch heiße Elektronen geschlossen werden. Auf der Basis dieser Ergebnisse sollen ballistische Gleichrichter hoher Effizienz präpariert werden.