Trägheitsballistischer Elektronentransport in Si/SiGe-Nanostrukturen

Si/SiGe 纳米结构中的惯性弹道电子传输

• 批准号: 37579073
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Ulrich Kunze
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Werkstoffe und Nanoelektronik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/37579073?language=en
• 关键词: Tr; gheitsballistischer; Elektronentransport; Si; SiGe

Quantenballistischer Elektronentransport soll in nanoskaligen Si/SiGe-Heterofeldeffektstrukturen untersucht werden. Ausgehend von modulationsdotierten Schichten werden Quantendrähte und Nanokreuze mit lokalen top-Gates durch Elektronenstrahl-Lithografie und schädigungsarmes reaktives Ionenätzen hergestellt. An Quantendrähten werden im Hochmagnetfeld die Abweichungen von elementaren Modellen der Leitwertquantisierung untersucht. Symmetrische und asymmetrische Nanokreuze liefern in Vierpunktgeometrie Strom-Spannungs- (I-V-) Kennlinien und ihre Ableitungen dI/dV, d2l/dV2 als Funktion der Gate-Spannung, der Temperatur und des Magnetfeldes. Daraus soll auf die Entstehung nichtlokaler Spannungen durch Injektion von Elektronen in stromfreie Potenzialsonden, begrenzende Prozesse durch Wechselwirkung mit Phononen und anderen Elektronen sowie auf den Beitrag der Thermospannung durch heiße Elektronen geschlossen werden. Auf der Basis dieser Ergebnisse sollen ballistische Gleichrichter hoher Effizienz präpariert werden.

纳米硅/锗异质结结构中的量子弹道电子传输将在韦尔登进行。通过Elektronenstrahl-Lithografie和Schädigungsarmes rektives Ionenätzen hergestellt，利用局部顶栅来增强Schichten韦尔登和纳米晶体管的调制。一个量子韦尔登在Hochmagnetfeld中通过对Leitwertquantisierung的基本模型进行Abweichungen。对称和非对称纳米线存在于四点几何的Strom-Spannungs-（I-V-）Kennlinien中，它们的dI/dV、d2 l/dV 2能力是门跨、温度和磁场的函数。通过将电子注入到温度传感器中，并通过将电子注入到温度传感器中，从而产生温度传感器，并通过将电子注入到温度传感器中，从而产生温度传感器韦尔登。在此基础上，该系统解决了高效率的弹道学理论韦尔登。