Fundamentals for ballistic electronics in graphene

这是一项相互联系的工程，它将为我们提供更多的信息和技术支持。对材料和工艺的研究，对纳米技术的机械和实现在新的石墨基础上的应用。(I)剥离的自体硅/隔离体衬底和(Ii)外延的自体半异质结合体6H-碳化硅。我们用原子力显微镜和拉曼光谱研究了它们的特性和估计。对纳米结构进行了分析，确定了它们的性质。在MOCVD abgeschiedene Dielektrika MIT Hoher DK或Polymerschichten的过程中，亚地层剥离石墨层缠绕了SiO_2。Obere Gate-Isolator schichten auch für epetaktisches Graphen Waven ebenfall Mittels MOCVD Deoniert Obere Gate-Isolator schichten auch für epetaktisches Graphen Wen ebenfall Mittels MOCVD Desoniert Obere Gate-Isolator schichten auch für epetaktisches Graphen Wen ebenfall Mittels MOCVD Deoniert On ALS聚合物薄膜aufgeschleudert。在霍尔-斯特鲁克图伦集市，全球的大门和秩序以及所有的国家和地区的大门和大门都被用来管理和管理。Von den erproten Verfahren是一名来自Herstellung的民粹主义者Nano-Leiterkreuze auf Einzel-and Bilagen-Graphen verwendet。在LEITERKREUZEN Wird der Gatespannungs-，Magnfeld-and Temperaturaturabhängie Kickwideras支持ALS Indikator für den Ballistischen Transport Herangezogen。一名技师学习了一种新的技术，一种新的技术，一种新的技术。Das Verschieben des Fermi-Niveaus dicht an den Dirac-Punkt oder Induzierung eines lateralen p-n-Überanges am Zentum des Kreuze Ermöglichen die Untersusuung der Wirkung des Klein-Tunnelns auf die Nanoballistik.这是一种不对称的运输方式，也是一种新的方式。在Diesen Bauelementen Müssen Diesen Bauelementen Müssen diesen Bauelementen müssen die beiträge duch TrägheitsBallistik and Heiüe e-Elektronen-Thermospannung unterschieden.费恩齐尔是一名普通的民粹主义者，也是一名法国人。

Dieses Projekt ist Teil eines interdisziplinären Ansatzes zur Untersuchung der Grundlagen des ballistischen Ladungstransports in Graphen, getragen durch Gruppen aus den Materialwissenschaften und der Elektrotechnik. Die Studien überstreichen die materialwissenschaftlichen und prozesstechnischen Grundlagen, die störenden Mechanismen und die Implementierung der Nanoballistik in neuartige graphenbasierte Bauelementstrukturen. Ausgangsmaterialien sind (i) exfolierte Graphenflocken auf entartetem Si/Isolator Substrat und (ii) epitaktisches Graphen auf semiisolierendem 6H-SiC. Die Charakterisierung der Schichten und die Bestimmung der Zahl der Lagen werden durch AFM und Raman-Spektroskopie durchgeführt. Laterale Mikro- und Nanostrukturen werden durch Elektronenstrahllithografie und reaktives Ionenätzen definiert. Substratisolatoren für exfoliertes Graphen sind entweder SiO2 oder durch MOCVD abgeschiedene Dielektrika mit hoher DK oder Polymerschichten. Obere Gate-Isolatorschichten auch für epitaktisches Graphen werden ebenfalls mittels MOCVD deponiert oder als Polymerfilm aufgeschleudert. Das Si-Gate und/oder globale und lokale Oberflächen- und Seiten-Gates werden für die Steuerung der Ladungsträgerdichten in Hall-Strukturen eingesetzt. Von den erprobten Verfahren werden die mit der besten resultierenden Beweglichkeit für die Herstellung ballistischer Nano- Leiterkreuze auf Einzel- und Bilagen-Graphen verwendet. In Leiterkreuzen wird der gatespannungs-, magnetfeld- und temperaturabhängige Knickwiderstand als Indikator für den ballistischen Transport herangezogen. Zu studierende Mechanismen sind die Streuung an Stufenkanten im SiC und an der Grenzlinie zwischen ein- und zweilagigem Graphen. Das Verschieben des Fermi-Niveaus dicht an den Dirac-Punkt oder die Induzierung eines lateralen p-n-Überganges am Zentrum des Kreuzes ermöglichen die Untersuchung der Wirkung des Klein-Tunnelns auf die Nanoballistik. Der ballistische Transport wird auf die Vollwellengleichrichtung an einem asymmetrischen Leiterkreuz angewendet. In diesen Bauelementen müssen die Beiträge durch Trägheitsballistik und Heiße-Elektronen- Thermospannung unterschieden werden. Fernziel ist ein Betrieb der ballistischen Gleichrichter bei Raumtemperatur als Detektor für hohe Frequenzen.