Establishment of Principles for Machine-Learning Assisted Analysis of Plasma Surface Reactions
Establishment of Principles for Machine-Learning Assisted Analysis of Plasma Surface Reactions
批准号:
18K18753
负责人:
Hamaguchi Satoshi
金额:
$3.99万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-06-29 至 2020-03-31
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Molecular dynamic simulation of F-based reactive ion etching of Si, SiO2 and Si3N4 substrates
Si、SiO2和Si3N4基片的F基反应离子刻蚀的分子动力学模拟
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Erin Joy Capdos Tinacba, Michiro Isobe, Kazuhiro Karahashi, and Satoshi Hamaguchi]
通讯作者:
and Satoshi Hamaguchi
IRHAPS, Osaka University
大阪大学IRHAPS
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hamaguchi Labotatory
滨口实验室
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
ボローニャ大学/バリ大学(イタリア)
博洛尼亚大学/巴里大学(意大利)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
ルールボーフム大学/カールスルーエ工科大(ドイツ)
鲁尔博鸿大学/卡尔斯鲁厄工业大学(德国)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 48 条
Quantum Theoretical Analyses of Plasma Processing for Novel and Diverse Materials Using Multi-Scale Numerical Simulations
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批准号:15H05736
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$97.26万
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财政年份:2015
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负责人:Hamaguchi Satoshi
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依托单位:
Analysis of Cell Response Mechanisms for Plasma Irradiation by Metabolic Model Simulation
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批准号:15K13608
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2015
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负责人:Hamaguchi Satoshi
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依托单位:
海外基金