Quantum Theoretical Analyses of Plasma Processing for Novel and Diverse Materials Using Multi-Scale Numerical Simulations
使用多尺度数值模拟对新型和多样化材料的等离子体加工进行量子理论分析
基本信息
- 批准号:15H05736
- 负责人:
- 金额:$ 97.26万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-05-29 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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Enhanced SiN Etching by Hydrogen Radicals during Fluorocarbon/Hydrogen Plasma Etching; Molecular Dynamics Simulation Analyses
氟碳/氢等离子体蚀刻期间氢自由基增强 SiN 蚀刻;
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Keizo Ito;Nao Takahashi;Kaoru Hattori;Yoko Goto;TakuyaNakanowatari;Kay I. Ohshima;Takanori Horimoto;Yoshinori Ikenaka;Shouta M. Nakayama;Hazuki Mizukawa;Mayumi Ishizuka;Kazushi Miyashita;Yoko Mitani;Yuichi Muarakami
- 通讯作者:Yuichi Muarakami
Particle Simulation of Atmospheric Pressure transient discharges including VUV Photon Transport,
大气压瞬态放电的粒子模拟,包括 VUV 光子传输、
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Yamamoto;B. Kaltenbacher;Zoltan Donko
- 通讯作者:Zoltan Donko
Analyses of surface reactions and damage formation in plasma etching processes: a study based on beam experiments and molecular dynamics simulation
等离子刻蚀过程中表面反应和损伤形成的分析:基于束流实验和分子动力学模拟的研究
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Suzuki;T. Horinouchi and C. Furusawa;浜口智志
- 通讯作者:浜口智志
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Hamaguchi Satoshi其他文献
Five-step plasma-enhanced atomic layer etching of silicon nitride with a stable etched amount per cycle
氮化硅五步等离子体增强原子层刻蚀,每周期刻蚀量稳定
- DOI:
10.35848/1347-4065/ac61f6 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
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Iwamoto Hayato
Self-sputtering of the Lennard-Jones crystal
伦纳德-琼斯晶体的自溅射
- DOI:
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2022 - 期刊:
- 影响因子:2.2
- 作者:
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Hamaguchi Satoshi
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SF5 离子反应离子刻蚀 Si 和 SiO2 的分子动力学模拟
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10.1116/6.0001230 - 发表时间:
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- 影响因子:1.4
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Hamaguchi Satoshi
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- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
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M. Murakami
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SiO2硬掩模硅沟槽刻蚀的分子动力学模拟
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10.1116/6.0002003 - 发表时间:
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- 影响因子:2.9
- 作者:
Mauchamp Nicolas A.;Hamaguchi Satoshi - 通讯作者:
Hamaguchi Satoshi
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Establishment of Principles for Machine-Learning Assisted Analysis of Plasma Surface Reactions
等离子体表面反应机器学习辅助分析原理的建立
- 批准号:
18K18753 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 97.26万 - 项目类别:
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$ 97.26万 - 项目类别:
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相似海外基金
超高密度反応性プラズマ法による窒化ホウ素ナノ結晶集合体構造の信頼性物理の研究
超高密度反应等离子体法氮化硼纳米晶聚集体结构可靠性物理研究
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- 资助金额:
$ 97.26万 - 项目类别:
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Development of anti-sex-crime program for elementary school children.
制定针对小学生的反性犯罪计划。
- 批准号:
19530635 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 97.26万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高気圧非平衡反応性プラズマ制御による新規の球穀構造ナノシリコン物質探索
利用反气旋非平衡反应等离子体控制寻找新型晶粒结构纳米硅材料
- 批准号:
15654079 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 97.26万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
微重力反応性プラズマ中の微粒子成長
微重力反应等离子体中的微粒生长
- 批准号:
15654082 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 97.26万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
極度の熱力学的非平衡状態にある超音速反応性プラズマ流を用いた溶射法の研究
极端热力学非平衡态超音速反应等离子体流热喷涂研究
- 批准号:
14655273 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 97.26万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
反応性プラズマ中浮上帯電ダイヤモンドの3次元結晶成長法
悬浮在反应等离子体中的带电金刚石三维晶体生长方法
- 批准号:
13878082 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 97.26万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
非平衡反応性プラズマ制御によるC_<60>因子の高次構造クラスター形成
非平衡反应等离子体控制C_<60>因子高阶结构团簇形成
- 批准号:
12878072 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 97.26万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
反応性プラズマ流の機能制御による環境汚染物質の浄化
通过反应等离子体流的功能控制净化环境污染物
- 批准号:
10875038 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 97.26万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
極超音速飛行体空力加熱評価のための非平衡反応性プラズマ分光法の開発
开发用于评估高超声速飞行器气动加热的非平衡反应等离子体光谱
- 批准号:
09875249 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 97.26万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research