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Development of a new thermal switching device

新型热开关装置的研制

基本信息

批准号：
18K18961
负责人：
Takeuchi Tsunehiro
金额：
$ 3.99万
依托单位：
Toyota Technological Institute
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-06-29 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（18）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

革新的熱スイッチ素子の開発

开发创新的热开关元件

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
松永卓也;松波雅治;竹内恒博
通讯作者：
竹内恒博

Ag2Ch（Ch = S, Se, Te）の相変態過程における熱電物性の挙動

Ag2Ch (Ch = S, Se, Te) 相变过程中的热电性能行为

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tanaka Masayoshi;Saito Shogo;Kita Reo;Jang Jaehee;Choi Yonghyun;Choi Jonghoon;Okochi Mina;平田圭佑，松永卓也，崔城豪，DogyunByeon，松波雅治，竹内恒博
通讯作者：
平田圭佑，松永卓也，崔城豪，DogyunByeon，松波雅治，竹内恒博

High-Performance Solid-State Thermal Diode Consisting of Ag2(S,Se,Te)

DOI：
10.1007/s11664-020-07964-8
发表时间：
2020-02-03
期刊：
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
影响因子：
2.1
作者：
Hirata, Keisuke;Matsunaga, Takuya;Takeuchi, Tsunehiro
通讯作者：
Takeuchi, Tsunehiro

省エネルギー社会の構築に寄与する革新的熱利用材料・素子の研究

创新热利用材料及元件研究，助力建设节能社会

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
竹内恒博
通讯作者：
竹内恒博

バイアス電圧で制御する熱流スイッチング素子の創製

创建由偏置电压控制的热流开关元件

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
日本熱電学会誌
影响因子：
0
作者：
松永卓也;平田圭佑;Saurabh Singh;松波雅治;竹内恒博
通讯作者：
竹内恒博

DOI：
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作者：
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Takeuchi Tsunehiro其他文献

Superconducting gap of heavily underdoped copper oxide superconductor (Bi,Pb) 2 Sr 2 (Ca,Y)Cu 2 O 8+δ

重欠掺杂氧化铜超导体(Bi,Pb) 2 Sr 2 (Ca,Y)Cu 2 O 8+δ 的超导能隙

DOI：
10.1016/j.elspec.2017.01.007
发表时间：
2017
期刊：
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
影响因子：
1.9
作者：
Sakamoto Hideki;Kondo Takeshi;Shin Shik;Matsunami Masaharu;Ikuta Hiroshi;Takeuchi Tsunehiro
通讯作者：
Takeuchi Tsunehiro

超伝導と強磁性が共存するジョセフソン接合系複合体の合成と電気・磁気特性

超导与铁磁性共存的约瑟夫森结配合物的合成及电/磁性能

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Lai Huajun;Peng Ying;Gao Jie;Song Haili;Kurosawa Masashi;Nakatsuka Osamu;Takeuchi Tsunehiro;Miao Lei;寺町七海，櫻井敬博，太田仁，瀬戸雄介，大石一城，坂口佳史，幸田章宏，内野隆司
通讯作者：
寺町七海，櫻井敬博，太田仁，瀬戸雄介，大石一城，坂口佳史，幸田章宏，内野隆司

Reinforcement of power factor in N-type multiphase thin film of Si1-x-yGexSny by mitigating the opposing behavior of Seebeck coefficient and electrical conductivity

通过减轻塞贝克系数和电导率的相反行为来增强 Si1-x-yGexSny N 型多相薄膜中的功率因数

DOI：
10.1063/5.0062339
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Lai Huajun;Peng Ying;Gao Jie;Song Haili;Kurosawa Masashi;Nakatsuka Osamu;Takeuchi Tsunehiro;Miao Lei
通讯作者：
Miao Lei

Unravelling the phonon scattering mechanism in half-Heusler alloys ZrCo1-xIrxSb (x = 0, 0.1 and 0.25)

揭示半赫斯勒合金 ZrCo1-xIrxSb（x = 0、0.1 和 0.25）中的声子散射机制

DOI：
10.1088/1361-648x/ac30b5
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
0
作者：
Yadav Kavita;Singh Saurabh;Muthuswamy Omprakash;Takeuchi Tsunehiro;Mukherjee K
通讯作者：
Mukherjee K

Capacitor-type thin-film heat flow switching device

电容式薄膜热流开关装置

DOI：
10.35848/1347-4065/ac3723
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Hirata Keisuke;Matsunaga Takuya;Singh Saurabh;Matsunami Masaharu;Takeuchi Tsunehiro
通讯作者：
Takeuchi Tsunehiro