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Improvement of thermoelectric properties by use of impurity states, and development of new high-performance thermoelectric materials

利用杂质态改善热电性能，开发新型高性能热电材料

基本信息

批准号：
18H01695
负责人：
Takeuchi Tsunehiro
金额：
$ 11.07万
依托单位：
Toyota Technological Institute
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

M. Omprakash, G. Swapnil, S. Singh, M. Adachi, Y. Yamamoto, T. Takeuchi

M. Omprakash、G. Swapnil、S. Singh、M. Adachi、Y. Yamamoto、T. Takeuchi

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
D. Byeon;R. Sobota;K. D. Codrin;S. Choi;K. Hirata;M. Adachi;Y. Yamamoto;M. Matsunami;T. Takeuchi
通讯作者：
T. Takeuchi

Colossal Seebeck Effect in Cu2-δSe

Cu2-δSe 中的巨大塞贝克效应

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Dogyun Byeon;Robert Sobota;Masaharu Matsunami;Tsunehiro Takeuchi
通讯作者：
Tsunehiro Takeuchi

High improvement of the figure of merit ZT in bulk amorphous-nanocrystalline Si0.55Ge0.35(Fe1,P0.10)

大块非晶-纳米晶 Si0.55Ge0.35(Fe1,P0.10) 的品质因数 ZT 大幅提高

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Dogyun Byeon;Robert Sobota;Masaharu Matsunami;Tsunehiro Takeuchi;Kevin Delime，Muthusamy Omprakash，Ghodke Swapnil，Tsunehiro Takeuchi
通讯作者：
Kevin Delime，Muthusamy Omprakash，Ghodke Swapnil，Tsunehiro Takeuchi

SRM大学(インド)

SRM大学（印度）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

University of Genova/Technologies for Energy, CNR-ICMATE,/University of Pavia(イタリア)

热那亚大学/能源技术、CNR-ICMATE、/帕维亚大学（意大利）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

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作者：
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Takeuchi Tsunehiro其他文献

Superconducting gap of heavily underdoped copper oxide superconductor (Bi,Pb) 2 Sr 2 (Ca,Y)Cu 2 O 8+δ

重欠掺杂氧化铜超导体(Bi,Pb) 2 Sr 2 (Ca,Y)Cu 2 O 8+δ 的超导能隙

DOI：
10.1016/j.elspec.2017.01.007
发表时间：
2017
期刊：
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
影响因子：
1.9
作者：
Sakamoto Hideki;Kondo Takeshi;Shin Shik;Matsunami Masaharu;Ikuta Hiroshi;Takeuchi Tsunehiro
通讯作者：
Takeuchi Tsunehiro

超伝導と強磁性が共存するジョセフソン接合系複合体の合成と電気・磁気特性

超导与铁磁性共存的约瑟夫森结配合物的合成及电/磁性能

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Lai Huajun;Peng Ying;Gao Jie;Song Haili;Kurosawa Masashi;Nakatsuka Osamu;Takeuchi Tsunehiro;Miao Lei;寺町七海，櫻井敬博，太田仁，瀬戸雄介，大石一城，坂口佳史，幸田章宏，内野隆司
通讯作者：
寺町七海，櫻井敬博，太田仁，瀬戸雄介，大石一城，坂口佳史，幸田章宏，内野隆司

Reinforcement of power factor in N-type multiphase thin film of Si1-x-yGexSny by mitigating the opposing behavior of Seebeck coefficient and electrical conductivity

通过减轻塞贝克系数和电导率的相反行为来增强 Si1-x-yGexSny N 型多相薄膜中的功率因数

DOI：
10.1063/5.0062339
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Lai Huajun;Peng Ying;Gao Jie;Song Haili;Kurosawa Masashi;Nakatsuka Osamu;Takeuchi Tsunehiro;Miao Lei
通讯作者：
Miao Lei

Unravelling the phonon scattering mechanism in half-Heusler alloys ZrCo1-xIrxSb (x = 0, 0.1 and 0.25)

揭示半赫斯勒合金 ZrCo1-xIrxSb（x = 0、0.1 和 0.25）中的声子散射机制

DOI：
10.1088/1361-648x/ac30b5
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
0
作者：
Yadav Kavita;Singh Saurabh;Muthuswamy Omprakash;Takeuchi Tsunehiro;Mukherjee K
通讯作者：
Mukherjee K

Capacitor-type thin-film heat flow switching device

电容式薄膜热流开关装置

DOI：
10.35848/1347-4065/ac3723
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Hirata Keisuke;Matsunaga Takuya;Singh Saurabh;Matsunami Masaharu;Takeuchi Tsunehiro
通讯作者：
Takeuchi Tsunehiro