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Development of thermal switching device working under a bias voltage

偏置电压下工作的热开关器件的研制

基本信息

批准号：
16K14375
负责人：
Takeuchi Tsunehiro
金额：
$ 2.33万
依托单位：
Toyota Technological Institute
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（9）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

アモルファス相を含むSi-Ge系薄膜の熱伝導率測定

含非晶相的Si-Ge薄膜的热导率测量

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
西野俊佑; 竹内恒博
通讯作者：
竹内恒博

Thermoelectric Properties of Nanograined Si-Ge-Au Thin Films Grown by Molecular Beam Deposition

DOI：
10.1007/s11664-017-5981-z
发表时间：
2018-06
期刊：
Journal of Electronic Materials
影响因子：
2.1
作者：
Shunsuke Nishino;Satoshi Ekino;M. Inukai;M. Omprakash;M. Adachi;M. Kiyama;Yoshiyuki Yamamoto;T. Takeuchi
通讯作者：
Shunsuke Nishino;Satoshi Ekino;M. Inukai;M. Omprakash;M. Adachi;M. Kiyama;Yoshiyuki Yamamoto;T. Takeuchi

電子構造，電子散乱，フォノン分散，フォノン散乱を考慮した高性能熱電材料の開発

考虑电子结构、电子散射、声子色散和声子散射的高性能热电材料的开发

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
西野俊佑; 竹内恒博;竹内恒博
通讯作者：
竹内恒博

Fe2VAl系人工超格子の熱伝導度評価

Fe2VAl基人工超晶格的热导率评估

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
廣井慧;竹内恒博
通讯作者：
竹内恒博

Guiding principle to develop high-performance thermoelectric materials

开发高性能热电材料的指导原则

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tsunehiro Takeuchi; Inukai Manabu; Muthusamy Omprakash; Shunsuke Nishino;竹内恒博;竹内恒博;竹内恒博;竹内恒博;Tsunehiro Takeuchi
通讯作者：
Tsunehiro Takeuchi

DOI：
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作者：
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Takeuchi Tsunehiro其他文献

Superconducting gap of heavily underdoped copper oxide superconductor (Bi,Pb) 2 Sr 2 (Ca,Y)Cu 2 O 8+δ

重欠掺杂氧化铜超导体(Bi,Pb) 2 Sr 2 (Ca,Y)Cu 2 O 8+δ 的超导能隙

DOI：
10.1016/j.elspec.2017.01.007
发表时间：
2017
期刊：
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
影响因子：
1.9
作者：
Sakamoto Hideki;Kondo Takeshi;Shin Shik;Matsunami Masaharu;Ikuta Hiroshi;Takeuchi Tsunehiro
通讯作者：
Takeuchi Tsunehiro

超伝導と強磁性が共存するジョセフソン接合系複合体の合成と電気・磁気特性

超导与铁磁性共存的约瑟夫森结配合物的合成及电/磁性能

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Lai Huajun;Peng Ying;Gao Jie;Song Haili;Kurosawa Masashi;Nakatsuka Osamu;Takeuchi Tsunehiro;Miao Lei;寺町七海，櫻井敬博，太田仁，瀬戸雄介，大石一城，坂口佳史，幸田章宏，内野隆司
通讯作者：
寺町七海，櫻井敬博，太田仁，瀬戸雄介，大石一城，坂口佳史，幸田章宏，内野隆司

Reinforcement of power factor in N-type multiphase thin film of Si1-x-yGexSny by mitigating the opposing behavior of Seebeck coefficient and electrical conductivity

通过减轻塞贝克系数和电导率的相反行为来增强 Si1-x-yGexSny N 型多相薄膜中的功率因数

DOI：
10.1063/5.0062339
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Lai Huajun;Peng Ying;Gao Jie;Song Haili;Kurosawa Masashi;Nakatsuka Osamu;Takeuchi Tsunehiro;Miao Lei
通讯作者：
Miao Lei

Unravelling the phonon scattering mechanism in half-Heusler alloys ZrCo1-xIrxSb (x = 0, 0.1 and 0.25)

揭示半赫斯勒合金 ZrCo1-xIrxSb（x = 0、0.1 和 0.25）中的声子散射机制

DOI：
10.1088/1361-648x/ac30b5
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
0
作者：
Yadav Kavita;Singh Saurabh;Muthuswamy Omprakash;Takeuchi Tsunehiro;Mukherjee K
通讯作者：
Mukherjee K

Capacitor-type thin-film heat flow switching device

电容式薄膜热流开关装置

DOI：
10.35848/1347-4065/ac3723
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Hirata Keisuke;Matsunaga Takuya;Singh Saurabh;Matsunami Masaharu;Takeuchi Tsunehiro
通讯作者：
Takeuchi Tsunehiro