Development of piezoelectronically spintronic devices and its application to ultra-low voltage memory
Development of piezoelectronically spintronic devices and its application to ultra-low voltage memory
压电自旋电子器件的研制及其在超低压存储器中的应用
批准号：
18K18853
负责人：
Takamura Yota
金额：
$3.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-06-29 至 2020-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(12)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Fabrication of Sm-rich SmFe2 thin films with giant negative magnetostriction,
具有巨负磁致伸缩的富SmSmFe2薄膜的制备，
具有巨负磁致伸缩的富SmSmFe2薄膜的制备，
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masato Tomita, Yugo Ishitani, Shiori Ishiyama, Yota Takamura, Shigeki Nakagawa,]
通讯作者：
Shigeki Nakagawa,
Fabrication and characterization of perpendicularly magnetized giant magnetoresistive SmFe2 free layer fro piezo-electric magnetic tunnel junctions
压电磁隧道结垂直磁化巨磁阻 SmFe2 自由层的制备和表征
压电磁隧道结垂直磁化巨磁阻 SmFe2 自由层的制备和表征
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
ITE technical report
影响因子：
--
作者：
[Yota Takamura, Hayato Onozawa, Masato Tomita, Shigeki Nakagawa]
通讯作者：
Shigeki Nakagawa
ピエゾエレクトロニック磁気トンネル接合の圧力印加構造の評価
压电磁隧道结施压结构的评估
压电磁隧道结施压结构的评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[浦下 宗輝, 北川 涼太, 小野澤 隼, スタットラー 嘉也, 春本 高志, 史 蹟, 中村 吉男, 高村 陽太, 中川 茂樹.]
通讯作者：
中川 茂樹.
応力アシスト磁化反転とピエゾエレクトロニック磁気抵抗デバイス
应力辅助磁化反转和压电磁阻器件
应力辅助磁化反转和压电磁阻器件
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
EXAFS Analysis of SmFe2 Thin Films with Perpendicular Magnetic Anisotropy for Piezoelectric Magnetic Tunnel Junctions.
用于压电磁隧道结的具有垂直磁各向异性的 SmFe2 薄膜的 EXAFS 分析。
用于压电磁隧道结的具有垂直磁各向异性的 SmFe2 薄膜的 EXAFS 分析。
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Takamura, H. Onozawa, S. Urashita, M. Tomita, S. Nakagawa.]
通讯作者：
S. Nakagawa.
共 12 条
Ultra-low power magnetization switching technology for magnetic tunnel junctions using inverse magnetostrictive effect
-
批准号：26870192
-
项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额：$2.5万
-
财政年份：2014
-
负责人：Takamura Yota
-
依托单位：