Development of piezoelectronically spintronic devices and its application to ultra-low voltage memory

压电自旋电子器件的研制及其在超低压存储器中的应用

• 批准号: 18K18853
• 负责人: Takamura Yota
• 金额: $ 3.91万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-06-29 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K18853/
• 关键词: スピントロニクス; ピエゾエレクトリック磁気抵抗素子; 圧電体; 不揮発性メモリ; MRAM; SmFe2; 磁歪; 偏光広域X線吸収微細構造; 逆磁歪効果

项目成果

Fabrication of Sm-rich SmFe2 thin films with giant negative magnetostriction,

具有巨负磁致伸缩的富SmSmFe2薄膜的制备，

• 发表时间: 2018
• 作者: Masato Tomita;Yugo Ishitani;Shiori Ishiyama;Yota Takamura;Shigeki Nakagawa,
• 通讯作者: Shigeki Nakagawa,

Fabrication and characterization of perpendicularly magnetized giant magnetoresistive SmFe2 free layer fro piezo-electric magnetic tunnel junctions

压电磁隧道结垂直磁化巨磁阻 SmFe2 自由层的制备和表征

• 发表时间: 2019
• 期刊: ITE technical report
• 作者: Yota Takamura;Hayato Onozawa;Masato Tomita;Shigeki Nakagawa
• 通讯作者: Shigeki Nakagawa

ピエゾエレクトロニック磁気トンネル接合の圧力印加構造の評価

压电磁隧道结施压结构的评估

• 发表时间: 2019
• 作者: 浦下 宗輝;北川 涼太;小野澤 隼;スタットラー 嘉也;春本 高志;史 蹟;中村 吉男;高村 陽太;中川 茂樹.
• 通讯作者: 中川 茂樹.

応力アシスト磁化反転とピエゾエレクトロニック磁気抵抗デバイス

应力辅助磁化反转和压电磁阻器件

EXAFS Analysis of SmFe2 Thin Films with Perpendicular Magnetic Anisotropy for Piezoelectric Magnetic Tunnel Junctions.

用于压电磁隧道结的具有垂直磁各向异性的 SmFe2 薄膜的 EXAFS 分析。

• 发表时间: 2019
• 作者: Y. Takamura;H. Onozawa;S. Urashita;M. Tomita;S. Nakagawa.
• 通讯作者: S. Nakagawa.