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Ultra-low power magnetization switching technology for magnetic tunnel junctions using inverse magnetostrictive effect

Ultra-low power magnetization switching technology for magnetic tunnel junctions using inverse magnetostrictive effect
利用反磁致伸缩效应的磁隧道结超低功耗磁化切换技术
批准号：
26870192
负责人：
Takamura Yota
金额：
$2.5万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26870192/
关键词：
逆磁歪効果磁気抵抗変化素子スピントランスファートルクＭＲＡＭスピン注入磁化反転スピントロニクスサマリウム鉄超磁歪圧電体逆ピエゾ効果

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Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAMs
STT-MTJ 的逆磁致伸缩引起的开关电流降低及其在低压 MRAM 中的应用
DOI： 10.1109/ulis.2016.7440055
发表时间： 2016
期刊： 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon
影响因子： --
作者： [Y. Takamura, Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa, S. Nakagawa, S. Sugahara.]
通讯作者： S. Sugahara.
In-situ internal stress observation of ferromagnetic thin films at the initial stage of the film growth during sputter-deposition process
溅射沉积铁磁薄膜生长初期的内应力原位观察
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Hayashibara, M. Nakagome, Y. Takamura, S. Nakagawa]
通讯作者： S. Nakagawa
Inverse-magnetostriction-induced switching current reductionfor spin-transfer torque MTJs
自旋转移矩 MTJ 的逆磁致伸缩引起的开关电流减小
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Yota Takamura , Shigeki Nakagawa , Satoshi Sugahara]
通讯作者： Satoshi Sugahara
Origin of Perpendicular Magnetic Anisotropy of [Co2MnSi/Pd]n Superlattice Films on Various Substrates
各种基底上[Co2MnSi/Pd]n超晶格薄膜垂直磁各向异性的起源
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Shigeki Nakagawa, Yota Takamura]
通讯作者： Yota Takamura
共 11 条
    Development of piezoelectronically spintronic devices and its application to ultra-low voltage memory
    • 批准号：
      18K18853
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.91万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Takamura Yota
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology