Development of atomic-layer heterojunction based hot electron emitters toward ultra-high speed transistors
Development of atomic-layer heterojunction based hot electron emitters toward ultra-high speed transistors
面向超高速晶体管的基于原子层异质结的热电子发射器的开发
批准号：
18K18861
负责人：
Masayoshi Tonouchi
金额：
$4.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-06-29 至 2020-03-31
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Characteristics of THz emissions from Bi2Te3/Te striped structure
Bi2Te3/Te条纹结构的太赫兹发射特性
Bi2Te3/Te条纹结构的太赫兹发射特性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[F. Murakami, K. Serita, H. Murakami, R. Dalipi, A. M. Urbas, A. Materna, M. Buza, D. A. Pawlak, M. Tonouchi, and I. Kawayama]
通讯作者：
and I. Kawayama
ライス大学(米国)
莱斯大学（美国）
莱斯大学（美国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Terahertz Emission from a Photoconductive Antenna Switch Based on Aligned Single-Chirality Semiconducting Carbon Nanotubes
基于对齐单手性半导体碳纳米管的光电导天线开关的太赫兹发射
基于对齐单手性半导体碳纳米管的光电导天线开关的太赫兹发射
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Filchito Renee G. Bagsican, Iwao Kawayama, Michael Wais, Natsumi Komatsu, Kazunori Serita, Weilu Gao, Lincoln Weber, Marco Battiato, Hironaru Murakami, Frank A. Hegmann, Junichiro Kono, and Masayoshi Tonouchi]
通讯作者：
and Masayoshi Tonouchi
Terahertz radiation from InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
来自 InGaN/GaN 多量子阱的太赫兹辐射
来自 InGaN/GaN 多量子阱的太赫兹辐射
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Abdul Mannan, I. Kawayama, K. Yamahara, F.R. Bagsican, H. Murakami, T. Langer, H. Bremers, U. Rossow, D. Turchinovich, A. Hangleiter, and M. Tonouchi]
通讯作者：
and M. Tonouchi
Contact-free THz nano-seismology in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
InGaN/GaN 多量子阱中的无接触太赫兹纳米地震学
InGaN/GaN 多量子阱中的无接触太赫兹纳米地震学
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Abdul Mannan, I. Kawayama, K. Yamahara, F.R. Bagsican, H. Murakami, T. Langer, H. Bremers, U.Rossow, D. Turchinovich, A. Hangleiter, and M. Tonouchi]
通讯作者：
and M. Tonouchi
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