Improvement of current gain for graphene-base hot electron transistors
Improvement of current gain for graphene-base hot electron transistors
批准号:
26630121
负责人:
Nagashio Kosuke
金额:
$2.5万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2016-03-31
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トランジスタを作る!グラフェン電界効果トランジスタ
制作晶体管!
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[J. L. Qi, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi, K. Nagashio, 長汐晃輔, K. Nagashio, 長汐晃輔]
通讯作者:
長汐晃輔
Quantum capacitance measurement of bilayer graphene
双层石墨烯的量子电容测量
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi]
通讯作者:
and A. Toriumi
Carrier response in electric-field-induced bandgap of bilayer graphene
电场诱导双层石墨烯带隙中的载流子响应
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[J. L. Qi, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi, K. Nagashio, 長汐晃輔, K. Nagashio, 長汐晃輔, K. Nagashio, 長汐晃輔, 長汐晃輔, K. Nagashio]
通讯作者:
K. Nagashio
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[J. L. Qi, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi, K. Nagashio, 長汐晃輔, K. Nagashio, 長汐晃輔, K. Nagashio, 長汐晃輔, 長汐晃輔, K. Nagashio, K. Nagashio]
通讯作者:
K. Nagashio
東京大学マテリアル工学専攻長汐研究室
东京大学材料工学部长潮实验室
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 13 条
Demonstration of piezoelectric properties of novel 2D materials toward energy harvesting
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批准号:19K21956
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2019
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负责人:Nagashio Kosuke
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依托单位:
Direct growth of graphene on h-BN using the Cu vapor
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批准号:16K14446
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.33万
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财政年份:2016
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负责人:Nagashio Kosuke
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依托单位:
Universal gate stack for 2D layered channel
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批准号:16H04343
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.82万
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财政年份:2016
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负责人:Nagashio Kosuke
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依托单位:
海外基金