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{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Improvement of current gain for graphene-base hot electron transistors

石墨烯基热电子晶体管电流增益的改进

基本信息

批准号：
26630121
负责人：
Nagashio Kosuke
金额：
$ 2.5万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（20）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

トランジスタを作る！グラフェン電界効果トランジスタ

制作晶体管！

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. L. Qi;K. Nagashio;T. Nishimura;A. Toriumi;K. Nagashio;長汐晃輔;K. Nagashio;長汐晃輔
通讯作者：
長汐晃輔

Quantum capacitance measurement of bilayer graphene

双层石墨烯的量子电容测量

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Nagashio;K. Kanayama;T. Nishimura;and A. Toriumi
通讯作者：
and A. Toriumi

Carrier response in electric-field-induced bandgap of bilayer graphene

电场诱导双层石墨烯带隙中的载流子响应

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. L. Qi;K. Nagashio;T. Nishimura;A. Toriumi;K. Nagashio;長汐晃輔;K. Nagashio;長汐晃輔;K. Nagashio;長汐晃輔;長汐晃輔;K. Nagashio
通讯作者：
K. Nagashio

semiconducting properties in bilayer graphene under the ultara-high displacement

超高位移下双层石墨烯的半导体特性

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. L. Qi;K. Nagashio;T. Nishimura;A. Toriumi;K. Nagashio;長汐晃輔;K. Nagashio;長汐晃輔;K. Nagashio;長汐晃輔;長汐晃輔;K. Nagashio;K. Nagashio
通讯作者：
K. Nagashio

東京大学マテリアル工学専攻長汐研究室

东京大学材料工学部长潮实验室

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Nagashio Kosuke其他文献

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考虑势垒高度的金属电极超薄h-BN绝缘评估

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影响因子：
0
作者：
Hattori Yoshiaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Nagashio Kosuke;Y. Hattori;Y. Hattori;服部吉晃,谷口尚,渡邉健司,長汐晃輔
通讯作者：
服部吉晃,谷口尚,渡邉健司,長汐晃輔

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利用电子束全息技术对功能材料进行应用分析

DOI：
发表时间：
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影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
Y. Hattori

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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
Maruyama Mina;Nagashio Kosuke;Okada Susumu;桑田淳司・山神将大・森原　聡・藤本卓也・金平典之・道上宏之・高口　豊・田嶋智之
通讯作者：
桑田淳司・山神将大・森原　聡・藤本卓也・金平典之・道上宏之・高口　豊・田嶋智之

"Two-dimensional tunnel FET"

“二维隧道FET”

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Matsuoka Ryota;Toyoda Ryojun;Shiotsuki Ryo;Fukui Naoya;Wada Keisuke;Maeda Hiroaki;Sakamoto Ryota;Sasaki Sono;Masunaga Hiroyasu;Nagashio Kosuke;Nishihara Hiroshi;K. Nagashio;K. Nagashio
通讯作者：
K. Nagashio