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Detection of structural fluctuation in ultra-thin organic ferroelectric film
超薄有机铁电薄膜结构波动的检测
基本信息
- 批准号：18K18868
- 负责人：
- 金额：$ 3.99万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-06-29 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
3.Heterojunction based on atomically thin semiconductor and its application
3.基于原子薄半导体的异质结及其应用
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Kobayashi,;T. Nabatame;K. Kurishima;T. Onaya;A. Ohi;N. Ikeda;T. Nagata;K. Tsukagoshi;A. Ogura,;K.Tsukagoshi;K.Tsukagoshi;K.Tsukagoshi
- 通讯作者：K.Tsukagoshi
Solution-processed organometallic quasi-2D nanosheet as hole buffer layer for organic light-emitting devices with extend lifetime
溶液加工的有机金属准二维纳米片作为空穴缓冲层，用于延长有机发光器件的使用寿命
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S.Liu;Y.-C.Wang;T.Yasuda;K.Nakazato;H.Maeda;N.Fukui;P.Long;H.Nishihara;K.Tsukagoshi,
- 通讯作者：K.Tsukagoshi,
Solution-processed organic single-crystalline semiconductors with a fence-like shape via ultrasound concussion
通过超声震荡溶液处理具有栅栏状形状的有机单晶半导体
- DOI：10.1039/c9tc06635g
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：6.4
- 作者：Zhang Bowen;Wang Qijing;Guo Jianhang;Pei Mengjiao;Wang Hengyuan;Jiang Sai;Shin Eul-Yong;Noh Yong-Young;Tsukagoshi Kazuhito;Shi Yi;Li Yun
- 通讯作者：Li Yun
Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O3
使用乙基环戊二烯基铟 (ln-EtCp) 和 H2O 和 O3 通过低温 ALD 制造的碳掺杂 In2O3 薄膜的氧化物 TFT 的特性
- DOI：10.1149/09203.0003ecst
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kobayashi Riku;Nabatame Toshihide;Kurishima Kazunori;Onaya Takashi;Ohi Akihiko;Ikeda Naoki;Nagata Takahiro;Tsukagoshi Kazuhito;Ogura Atsushi
- 通讯作者：Ogura Atsushi
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
TSUKAGOSHI Kazuhito其他文献
Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress
Al2O3 钝化层 In-Si-O-C 薄膜晶体管在负、正栅极偏压应力下阈值电压漂移的抑制
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kazunori Kurishima;NABATAME Toshihide;ONAYA Takashi;TSUKAGOSHI Kazuhito;OHI Akihiko;IKEDA Naoki;NAGATA Takahiro;OGURA Atsushi - 通讯作者：
OGURA Atsushi
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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Graphene atomic film transistor with gate-tunable band-gap
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- 批准号：
21241038 - 财政年份：2009
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$ 3.99万 - 项目类别：
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$ 3.99万 - 项目类别：
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11750582 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 3.99万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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$ 3.99万 - 项目类别：
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- 批准号：
03650717 - 财政年份：1991
- 资助金额：
$ 3.99万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)