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Graphene atomic film transistor with gate-tunable band-gap

具有栅极可调带隙的石墨烯原子膜晶体管

基本信息

批准号：
21241038
负责人：
TSUKAGOSHI Kazuhito
金额：
$ 30.12万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21241038/
关键词：
グラフェン電気伝導電界効果基礎物性自己形成

项目摘要

We have realized a practical wide band gap in bilayer graphene. The gap was induced by an electric field applied by dual-gate sandwiching the bilayer graphene. A self-assembled gate insulator enabled us to apply a large electric field which enhanced the band gap. The wide band gap allowed for operation of a logic gate composed of bilayer graphene transistors. These results predict that graphene electronics will possibly be realized as emerging transistors with an atomically thin semiconductor.

我们在双层石墨烯中实现了实用的宽带隙。差距是由双栅极叠层石墨烯施加的电场引起的。自组装的栅极绝缘体使我们能够施加一个大的电场，提高了带隙。宽带隙允许由双层石墨烯晶体管组成的逻辑门的操作。这些结果预测，石墨烯电子可能会实现为具有原子级薄半导体的新兴晶体管。

项目成果

期刊论文数量（102）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Electric field modulation of graphene channel

石墨烯通道的电场调制

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
H.Miyazaki;K.Tsukagoshi;A.Kanda
通讯作者：
A.Kanda

Band gap moduration in bilayer graphene

双层石墨烯中的带隙调制

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
K.Tsukagoshi;H.Miyazaki;A.Kanda
通讯作者：
A.Kanda

Band-gap moduration in gated bilayer graphene

门控双层石墨烯的带隙调制

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
K.Tsukagoshi;H.Miyazaki;A.Kanda
通讯作者：
A.Kanda

Gate voltage induced band gap in bilayer graphene

双层石墨烯中栅极电压引起的带隙

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
K.Tsukagoshi;H.Miyazaki;A.Kanda
通讯作者：
A.Kanda

Thin film transistor from CVD graphene, A. V. Tyurnina

CVD 石墨烯薄膜晶体管，A. V. Tyurnina

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. N. Obraztsov;H. Hiura;K. Tsukagoshi
通讯作者：
K. Tsukagoshi

DOI：
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期刊：
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作者：
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作者：
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作者：
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TSUKAGOSHI Kazuhito其他文献

Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress

Al2O3 钝化层 In-Si-O-C 薄膜晶体管在负、正栅极偏压应力下阈值电压漂移的抑制

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazunori Kurishima;NABATAME Toshihide;ONAYA Takashi;TSUKAGOSHI Kazuhito;OHI Akihiko;IKEDA Naoki;NAGATA Takahiro;OGURA Atsushi
通讯作者：
OGURA Atsushi