Alignment Control of Self-ordered Nanodots for Novel Functional Devices

新型功能器件的自序纳米点的对准控制

基本信息

  • 批准号:
    18KK0409
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 9.9万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019 至 2023
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度は、IHP(渡航先外国機関)において、Reduced-pressure CVDを用いて200mm-Siウェハ上にGeコアSi量子ドット構造を高密度・一括形成し、所属機関において室温PL特性を評価するとともに、EL特性も評価した。各CVD工程後のAFM表面形状像測定において、ドット面密度に顕著な変化は認められず、サイズ分布から算出した平均高さが随時増大していることを確認した。断面TEM-EDXマッピングでは、GeH4-CVD後では予め形成したSi量子ドット上に均一にGeが堆積しており、その後の650℃熱処理においては顕著な変化は認められないものの、SiH4-CVD後では明瞭なコア/シェル構造が認められた。尚、Geコア高さはAFM像から得られた平均ドット高さの差(~1.6nm)と矛盾しない。形成したLEDからは、ELスペクトルでは、電圧振幅-1.0Vで0.65~0.85eVにブロードなELスペクトルが認められ、電圧の増大に伴いEL強度は増大し、高エネルギ側の増大がより顕著であった。また、得られたELスペクトルはPLと同様に4成分でピーク分離でき、印加電圧の増加による各成分のピークエネルギー位置の変化は認められなかった。これらの結果は、順方向バイアス印加により、a-Si層から電子注入とp-Si基板から正孔注入が進行し、電子-正孔の量子準位間での発光再結合が生じたと説明でき、印加電圧の増加に伴ってGeコアにおける高次の量子準位を介した再結合発光が支配的になると考えられる。
This year, IHP (the first foreign machine for ferry) and Reduced-pressure CVD used the Ge

项目成果

期刊论文数量(97)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Feシリサイドドットの発光特性評価
硅化铁点的发光特性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    古幡 裕志;斎藤 陽斗;牧原 克典;大田 晃生;田岡 紀之;宮﨑 誠一
  • 通讯作者:
    宮﨑 誠一
リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響
远程氢等离子体辅助FePt合金纳米点自组装形成过程中基底温度对磁化性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    本田 俊輔,古幡 裕志;大田 晃生;池田 弥央;大島 大輝;加藤 剛志;牧原 克典,宮﨑 誠一
  • 通讯作者:
    牧原 克典,宮﨑 誠一
Effect of substrate temperature on plasma-enhanced self-assembling formation of high-density FePt nanodots
基底温度对等离子体增强自组装形成高密度 FePt 纳米点的影响
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac2036
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Honda;K. Makihara;N. Taoka;H. Furuhata;A. Ohta;D. Oshima;T. Kato;and S. Miyazaki
  • 通讯作者:
    and S. Miyazaki
Light-emission Properties of High-density Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dots
高密度类超原子Ge核/Si壳量子点的发光特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Makihara;Y. Yamamoto;Y. Imai;N. Taoka;M. A. Schubert;B. Tillack;and S. Miyazaki
  • 通讯作者:
    and S. Miyazaki
Characterization of Light Emission Properties of Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dots
类超原子Ge核/Si壳量子点的发光特性表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Makihara;Y. Yamamoto;Y. Imai;N. Taoka;M. A. Schubert;B. Tillack;and S. Miyazaki
  • 通讯作者:
    and S. Miyazaki
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牧原 克典其他文献

一次元連結Si系量子ドットの電界発光減衰特性
一维连接硅基量子点的电致发光衰减特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鈴木 善久;牧原 克典;池田 弥央;宮崎 誠一
  • 通讯作者:
    宮崎 誠一
持続力あるまちにつくりかえること
将城镇重建为可持续发展城镇
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    酒井 大希;松下 圭吾;大田 晃生;田岡 紀之;牧原 克典;宮﨑 誠一;大月敏雄
  • 通讯作者:
    大月敏雄
ABAトリブロックコポリマーからなる光・温度応答性イオンゲルの創製とパターニングへの応用
由 ABA 三嵌段共聚物组成的光响应和温度响应离子凝胶的制备及其在图案化中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山田 健太郎;近藤 圭悟;池田 弥央;牧原 克典;宮崎 誠一;玉手亮多
  • 通讯作者:
    玉手亮多
高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係
高介电常数绝缘膜/SiO2界面偶极子形成与化学结构的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤村 信幸;大田 晃生;池田 弥央;牧原 克典;宮崎 誠一
  • 通讯作者:
    宮崎 誠一
鋼構造根巻き柱脚の大変形域載荷実験(その3 追加試験体)
钢结构缠根柱基大变形区加载试验(第3部分附加试件)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤村 信幸;大田 晃生;池田 弥央;牧原 克典;宮崎 誠一;中川顕輔,向出静司,佐武莉沙,多田元英
  • 通讯作者:
    中川顕輔,向出静司,佐武莉沙,多田元英

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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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精密電子制御したシリコン系ナノ結晶の立体集積構造作成と光電子融合デバイス応用
精密电子控制下硅基纳米晶三维集成结构的构建及其在光电集成器件中的应用
  • 批准号:
    06J08251
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 9.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

相似海外基金

Si(001)に近接した高指数表面でのGe-Si系量子ドットの原子的様相
接近 Si(001) 的高折射率表面上 Ge-Si 量子点的原子方面
  • 批准号:
    10127204
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 9.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
MBE成長法によるSi(001)に近接した高指数表面でのGe-Si系量子ドット
通过MBE生长法在Si(001)附近的高折射率表面上制备Ge-Si量子点
  • 批准号:
    09233205
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 9.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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