Si(001)に近接した高指数表面でのGe-Si系量子ドットの原子的様相

接近 Si(001) 的高折射率表面上 Ge-Si 量子点的原子方面

• 批准号: 10127204
• 负责人: 薛 其坤
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 1998
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10127204/
• 关键词: GaN; GaAs; STM; MBE; SiC; 結晶成長

本年度は当初Si(114)表面における、Ge-Siの成長キネチックス研究を計画していたが、III族窒化物は半導体分野での最近の最も注目が集まっているホットな話題であること、現有装置は1台のみであるため、この窒化物研究を優先推進することとした。改良した高性能MBE-STM装置を使用してGaN成長に関して2つの研究を成功させた。即ち1つはGaAs(001)基板を使用しての立方晶薄膜成長初期段階に関する研究である。ここではLEEDから判明していた3x3構造の原子分解能のあるSTM像を最初に撮影することに成功し、その構造や界面形成機構を詳細に検討することを可能にした。表面形態観察から、GaAsの窒化過程は3x3相規則化とプラズマ発生源からのNラヂカルによる異方的なステップエッテイングとの競合下で進行することが判明した。2番目は清浄な6H-SiC(0001)表面をUHV Siビームエッティング法で得て、その上にGaNを成長させた。機械研摩による表面損傷は完全には除去できなかったが、3x3再構成構造でそのドメインサイズが約500Åのものを得ることができた。さらに良好な窒化物層及び多層窒化物膜成長のための条件を見い出した。GaN窒化物成長に関してはSTMにより2x2及び4x4のGaN(0001)相を観察することに成功した最初のグループに属する。

は this year at the beginning of Si (114) surface に お け る, Ge Si の growth キ ネ チ ッ ク を ス research project し て い た が, III smothering compound は semiconductor eset で の の も most noticeable が recently set ま っ て い る ホ ッ ト な topic で あ る こ と, existing device は 1 の み で あ る た め, こ の smothering を priority compound research advance す る こ と と し た . The improvement of the <s:1> た high-performance MBE-STM device を was carried out using <s:1> てGaN to grow に relations て2 させた <s:1> <s:1>. The を research was successful させた. That is, the ち1 ち を GaAs(001) substrate を uses the <s:1> て <s:1> <s:1> cubic crystal thin film to grow the initial stage に relation する to study である. こ こ で は LEED か ら.at し て い た 3 x3 structural の atomic decomposition can の あ る STM as を に pinch of shadow at first す る こ と に successful し, そ の tectonic や interface which agency を detailed に beg す 検 る こ と を may に し た. Surface morphology 観 examine か ら, GaAs の smothering process は 3 x3 phase regulation と プ ラ ズ マ 発 students か ら の N ラ ヂ カ ル に よ る's party な ス テ ッ プ エ ッ テ イ ン グ と の competition next で す る こ と が.at し た. 2 times は qing な at 6 h - SiC (0001) surface を UHV Si ビ ー ム エ ッ テ ィ ン グ method で て, そ の に on GaN を growth さ せ た. Surface damage of the mechanical grinding of moab に よ る は completely に は remove で き な か っ た が, 3 x3 to constitute structure で そ の ド メ イ ン サ イ ズ が about 500 a の も の を have る こ と が で き た. The conditions for the growth of さらに good な nitrided layers and び multilayer nitrided films を can be found in さらに out of た た. GaN smothering compound growth に masato し て は STM に よ り 2 x2 and び 4 x4 の GaN (0001) phase を 観 examine す る こ と に successful し た initially の グ ル ー プ に genus す る.

项目成果

K.Watanabe,Y.Yatanabe et al: "X-ray Diffraction Investigation in High Fields at low…" Advances in Cryogenic Engineering. 44. 747-752 (1998)

K. Watanabe、Y. Yatanabe 等人：“低场高场 X 射线衍射研究……”《低温工程进展》44. 747-752 (1998)。

Q.K.Xue et al: "Coulomb expansion of a ran der waals C_<60> sdid film" Phys.Rev.B. in press. (1999)

Q.K.Xue 等人：“ran der waals C_<60> sdid 薄膜的库仑膨胀”Phys.Rev.B。

Q.K.Xue et al: "Atomc structure of Faceted Planes of InAs Quantum…" Jpn.J.Appl.Phys.38(in press). (1999)

Q.K.Xue 等人：“InAs 量子平面的原子结构……”Jpn.J.Appl.Phys.38（出版中）。

Q.K.Xue et al: "6×2 surface reconstruction for the two-dimengional." Phys.Rev.B.57. R6862-R6865 (1998)

Q.K.Xue 等人：“二维的 6×2 表面重建。”Phys.Rev.B.57 (1998)。