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希土類単酸化物におけるトポロジカル磁気状態の制御

稀土一氧化物拓扑磁态的控制

基本信息

批准号：
19F19347
负责人：
福村知昭
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-11-08 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

前期ランタノイド単酸化物は，約40年前に粉末多結晶として報告されていたが，周期表のガドリニウムからツリウムに至る後期ランタノイド単酸化物は気相のみ存在しており，ごく最近ガドリニウム単酸化物の固相をエピタキシャル薄膜として合成することに成功したばかりである。後期ランタノイド単酸化物は，大きな磁化と高いキュリー温度をもつ強磁性体である可能性がある。ガドリニウム単酸化物は室温に近いキュリー温度をもつ強磁性体であるものの，酸化されやすく，他の後期ランタノイド単酸化物が作製できるか不明であった。今回，岩塩構造ホロミウム単酸化物のエピタキシャル薄膜の作製に成功し，高い電気伝導性をもつ狭ギャップ強磁性半導体で，大きな負の磁気抵抗と異常ホール効果が観測された。キュリー温度は約130ケルビンであり，既存のホロミウムモノカルコゲナイドの中で一番高いキュリー温度をもつ硫化物よりも110ケルビン高い。キュリー温度直下では，他のホロミウム二元化合物でも見られるような単調でないスピン配列に由来すると考えられるメタ磁性的なふるまいを示したが，その温度領域は高いキュリー温度を反映して，他のホロミウム化合物よりもはるかに高かった。また，電子ドーパントとなる酸素欠損量の増大とともに，電気伝導性は増す一方でキュリー温度は低下するという，従来の強磁性半導体のキュリー温度の振る舞いとは相反する傾向が見られた。また，チタン酸ストロンチウム単結晶基板に熱アニールを施し，ストロンチウム単酸化物終端の表面を形成して基板からの酸素拡散を防ぐことで，ユーロピウム単酸化物エピタキシャル薄膜の直接成膜に成功し，走査型トンネル顕微鏡によるユーロピウム単酸化物薄膜表面の原子分解能観察を達成した。

In the early stage, there was an acid compound in the early stage, which was reported in the powder polycrystal report about 40 years ago. The periodic table was characterized by the presence of acid compounds in the later phase of the periodic table, which was successfully synthesized in the solid phase. In the later period, it is necessary to increase the temperature of the strong magnetic body and the possibility of magnetization. The temperature of room temperature is near the temperature of room temperature, the temperature of strong magnet is not strong, and the acidizing agent is acidified. Later, he makes acid compound. This time, we have successfully fabricated the thin film of high temperature, high The temperature is about 130km. the temperature is very high. The temperature is straight down, he says that the binary compound is not sensitive to the temperature, and that the reason for the configuration is that the magnetic field is high, the temperature is high, the temperature is high, and he is sensitive to the temperature field. When the temperature is low, and the temperature is low. The surface of the substrate is formed by the formation of the substrate, acid, acid, acid and acid. The atomic decomposition energy on the surface of the acidified thin film is observed.