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Development of high-mobility diamond FETs using h-BN heterostructures and exploration of their quantum transport phenomena
利用 h-BN 异质结构开发高迁移率金刚石 FET 并探索其量子输运现象
基本信息
- 批准号：19H02605
- 负责人：
- 金额：$ 11.4万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（18）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Mobility in h-BN gated diamond field-effect transistors
h-BN 门控金刚石场效应晶体管的迁移率
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yosuke Sasama;Taisuke Kageura;Katsuyoshi Komatsu;Satoshi Moriyama;Jun-ichi Inoue;Masataka Imura;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Takashi Uchihashi;Yamaguchi Takahide
- 通讯作者：Yamaguchi Takahide
Modeling of Electrical Characteristics in Hydrogen-Terminated Diamond Field-Effect Transistors
氢端接金刚石场效应晶体管的电气特性建模
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yamaguchi Takahide;Yosuke Sasama;Taisuke Kageura;Masataka Imura;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Takashi Uchihashi
- 通讯作者：Takashi Uchihashi
Diamond transistor with an h-BN gate dielectric
具有 h-BN 栅极电介质的金刚石晶体管
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yosuke Sasama;Taisuke Kageura;Katsuyoshi Komatsu;Satoshi Moriyama;Jun-ichi Inoue;Masataka Imura;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Takashi Uchihashi;Yamaguchi Takahide;Yamaguchi Takahide
- 通讯作者：Yamaguchi Takahide
hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
使用 hBN 异质界面的高迁移率金刚石场效应晶体管
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shiho Torii;Yasuko Orba;Michihito Sasaki;Yuji Wada;Michael Carr;Jody Hobson-Peters;Roy A. Hall;William W. Hall and Hirofumi Sawa;笹間陽介，小松克伊，森山悟士，井村将隆，寺地徳之，渡邊賢司，谷口尚，内橋隆，山口尚秀
- 通讯作者：笹間陽介，小松克伊，森山悟士，井村将隆，寺地徳之，渡邊賢司，谷口尚，内橋隆，山口尚秀
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YAMAGUCHI Takahide其他文献
Large magneto-conductivity effect in Fe-Phthalocyanine conductor at low temperatures
Fe-酞菁导体在低温下的大磁导效应
- DOI：
- 发表时间：
2009 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
KIMATA Motoi;YAMAGUCHI Takahide;HAZAMA kaori;TERASHIMA Taichi;UJI Shinya;NAITO Toshio;INABE Tamotsu - 通讯作者：
INABE Tamotsu
Interplay between magnetism and conductivity in the one-dimensional organic conductor TPP [Fe(Pc)(CN)_2]_2
一维有机导体 TPP [Fe(Pc)(CN)_2]_2 中磁性和电导率之间的相互作用
- DOI：
- 发表时间：
2009 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
KIMATA Motoi;YAMAGUCHI Takahide;HARADA Atsushi;SATSUKAWA Hidetaka;HAZAMA kaori;TERASHIMA Taichi;UJI Shinya;NAITO Toshio;INABE Tamotsu - 通讯作者：
INABE Tamotsu
YAMAGUCHI Takahide的其他文献
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{{ truncateString('YAMAGUCHI Takahide', 18)}}的其他基金
Clarification and exploration of novel transport phenomena caused by electron-electron interactions and spin degrees of freedom in molecular crystals
阐明和探索分子晶体中电子-电子相互作用和自旋自由度引起的新颖输运现象
- 批准号：
22740237 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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日本企业开拓新兴市场的组织能力研究
- 批准号：
22330120 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Nonlinear and spin-dependent transport in correlated electron insulators at ultra low temperatures
超低温相关电子绝缘体中的非线性和自旋相关输运
- 批准号：
20740208 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
A Research of the organizational capability for transferring the marketing knowhow in multinational enterprises
跨国企业营销知识转移的组织能力研究
- 批准号：
19530348 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
高効率かつ高信頼性の縦型GaN接合型電界効果トランジスタの実現
高效可靠垂直GaN结型场效应晶体管的实现
- 批准号：
24KJ1270 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
シリコンスピン電界効果トランジスタの高性能化を実現する低界面粗さ構造の創製
创建低界面粗糙度结构，提高硅自旋场效应晶体管的性能
- 批准号：
24K17326 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
絶縁窒化アルミニウムのp型伝導機構発現の解明とpチャネル電界効果トランジスタ応用
绝缘氮化铝p型导电机理的阐明及其在p沟道场效应晶体管中的应用
- 批准号：
24K17305 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
相補型高速パワーインバータのためのpチャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ
用于互补高速功率逆变器的 P 沟道金刚石场效应晶体管
- 批准号：
23K26167 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
有機金属構造体を賦与した有機電界効果トランジスタ型ガスセンサの開発
具有有机金属结构的有机场效应晶体管型气体传感器的研制
- 批准号：
23KJ0785 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相補型高速パワーインバータのためのpチャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ
用于互补高速功率逆变器的 P 沟道金刚石场效应晶体管
- 批准号：
23H01473 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
炭化珪素接合型電界効果トランジスタによる相補型論理とアナログ回路の高温動作実証
使用碳化硅结场效应晶体管演示互补逻辑和模拟电路的高温运行
- 批准号：
22KJ2013 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
マルチゲート構造を持つ超伝導電界効果トランジスタの研究
多栅极结构超导场效应晶体管的研究
- 批准号：
21K04145 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Active controll of the magnetization damping by electric field effect in magnetic metal
磁性金属中电场效应主动控制磁化阻尼
- 批准号：
19K15437 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Electric field effect on magnetic interactions in ultrathin transition-metal films
电场对超薄过渡金属薄膜磁相互作用的影响
- 批准号：
414321830 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Research Grants