Emergence and control of metal-insulator transition in rutile-type d1 electron system
Emergence and control of metal-insulator transition in rutile-type d1 electron system
金红石型d1电子体系金属-绝缘体跃迁的产生与控制
批准号：
19H02620
负责人：
Shibuya Keisuke
金额：
$11.32万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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会议论文
Epitaxial growth and polarized Raman scattering of niobium dioxide films
二氧化铌薄膜的外延生长和偏振拉曼散射
二氧化铌薄膜的外延生长和偏振拉曼散射
DOI：
10.1063/5.0087610
发表时间：
2022
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[Shibuya Keisuke, Sawa Akihito]
通讯作者：
Sawa Akihito
強相関電子系における金属絶縁体転移の制御とその応用
强相关电子系统中金属-绝缘体转变的控制及其应用
强相关电子系统中金属-绝缘体转变的控制及其应用
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shibuya Keisuke, Ishii Kiyo, Atsumi Yuki, Yoshida Tomoya, Sakakibara Youichi, Mori Masahiko, Sawa Akihito, 渋谷圭介]
通讯作者：
渋谷圭介
Impact of electron doping on metal-insulator transition of VO2
电子掺杂对VO2金属-绝缘体转变的影响
电子掺杂对VO2金属-绝缘体转变的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shibuya Keisuke, Ishii Kiyo, Atsumi Yuki, Yoshida Tomoya, Sakakibara Youichi, Mori Masahiko, Sawa Akihito, 渋谷圭介, Keisuke Shibuya]
通讯作者：
Keisuke Shibuya
Control of the electronic phase of transition-metal oxides exhibiting a first-order phase transition
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批准号：25790051
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2013
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负责人：Shibuya Keisuke
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依托单位：
海外基金