Control of the electronic phase of transition-metal oxides exhibiting a first-order phase transition
Control of the electronic phase of transition-metal oxides exhibiting a first-order phase transition
表现出一级相变的过渡金属氧化物的电子相的控制
批准号：
25790051
负责人：
Shibuya Keisuke
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Electronic phase control in vanadium dioxide thin films
二氧化钒薄膜的电子相位控制
二氧化钒薄膜的电子相位控制
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Keisuke Shibuya, Jun’ya Tsutsumi, Tatsuo Hasegawa, Akihito Sawa, Keisuke Shibuya]
通讯作者：
Keisuke Shibuya
DOI：
10.1063/1.4813442
发表时间：
2013-07
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[K. Shibuya;J. Tsutsumi;T. Hasegawa;A. Sawa]
通讯作者：
K. Shibuya;J. Tsutsumi;T. Hasegawa;A. Sawa
DOI：
10.1063/1.4927746
发表时间：
2015-08
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[K. Miyazaki;K. Shibuya;Megumi Suzuki;H. Wado;A. Sawa]
通讯作者：
K. Miyazaki;K. Shibuya;Megumi Suzuki;H. Wado;A. Sawa
Metal-Insulator Transitions in VO2 Epitaxial Thin Films on MgF2 Substrates
MgF2 衬底上 VO2 外延薄膜中的金属-绝缘体转变
MgF2 衬底上 VO2 外延薄膜中的金属-绝缘体转变
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Keisuke Shibuya, Akihito Sawa]
通讯作者：
Akihito Sawa
DOI：
10.1063/1.4934226
发表时间：
2015-10
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[K. Shibuya;A. Sawa]
通讯作者：
K. Shibuya;A. Sawa
共 7 条
Emergence and control of metal-insulator transition in rutile-type d1 electron system
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批准号：19H02620
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.32万
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财政年份：2019
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负责人：Shibuya Keisuke
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依托单位：
海外基金