课题基金 / 基金详情

高密度プラズマ支援製膜によるナノ構造制御次世代酸化物半導体薄膜低温形成法の創成

高密度プラズマ支援製膜によるナノ構造制御次世代酸化物半導体薄膜低温形成法の創成
利用高密度等离子体辅助沉积创建具有纳米结构控制的下一代氧化物半导体薄膜低温形成方法
批准号：
23K21051
负责人：
節原 裕一
金额：
$2.16万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2025-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K21051/
关键词：

项目摘要

项目成果

節原 裕一的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
高密度プラズマ支援製膜によるナノ構造制御次世代酸化物半導体薄膜低温形成法の創成
  • 批准号：
    21H01671
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.07万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    節原 裕一
  • 依托单位：
    Osaka University
超短パルスレーザー誘起断熱励起過程による次世代半導体ナノ表面の非熱的改質プロセス
  • 批准号：
    20035009
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $3.01万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    節原 裕一
  • 依托单位：
    Osaka University
高周波誘導結合による新しい液中プラズマ生成法の開発と粒子処理プロセスの開拓
  • 批准号：
    19654090
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.11万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    節原 裕一
  • 依托单位：
    Osaka University
フォノン励起型非熱的ナノ表面改質による次世代半導体活性化プロセスの開発
  • 批准号：
    19026009
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.66万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    節原 裕一
  • 依托单位：
    Osaka University