ヘリコン波励起型反応性高密度金属原子混合プラズマの開発と超硬質薄膜合成への応用

螺旋波激发反应高密度金属原子混合等离子体的研制及其在超硬薄膜合成中的应用

• 批准号: 09780435
• 负责人: 節原 裕一
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 1998
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09780435/
• 关键词: 活性化反応場; ヘリコン波励起プラズマ; 反応性高密度プラズマ; 金属原子混合プラズマ; 超硬質薄膜; 窒化炭素; 立方晶窒化ホウ素

ヘリコン波励起による反応性高密度プラズマ源の開発に主眼をおいて実施した初年度の成果をもとにして、本年度は物理蒸着系を構成することにより、窒化物系超硬質薄膜の合成実験を行い、合成した薄膜の組成・構造とブラズマ特性との相関について検討を行った。まず、ヘリコン波励起プラズマの生成には3ターンの方位角モードm=0アンテナを使用し、負バイアスを印加したターゲットを配置することにより、金属原子をプラズマスパッタリングにより供給することが可能な物理蒸着系を構成した。ヘリコン波が励起されている高密度モードのプラズマ中では、毎分90nm程度の成膜速度で薄膜合成が可能であることが示された。ついで、上記の物理蒸着系を用いて主として窒化炭素薄膜の合成実験を行い、化学量論組成比(N/C=4/3)の達成を第一目標に置いて研究を行った。ラザフォード後方散乱法を用いて薄膜の組成分析を行ったところ、原子状窒素の生成密度の高い条件で成膜するほど膜中の窒素組成比は向上し、最も高い値は目標値である化学量論組成に非常に近いN/C=1.3のものが得られることが明らかとなった。化学結合状態についてX線光電子分光法により調べた結果、窒素組成比の向上とともに膜中のCN結合の割合が増加することが明らかとなった。薄膜の硬度について評価を行ったところ、基板への負バイアスの印加により20GPa程度の硬度を示す試料も得られたが、目標値に比べると低い値に止まっていることがわかった。このため、薄膜の結合相手ならびに微細構造の制御とともに水素等の不純物の影響について、今後の検討課題としてさらなる研究が必要である。さらに、ヘリコン波プラズマをはじめとする誘導結合型放電において重要となる、内部アンテナを用いたプラズマ生成と金属スパッタリングについても実験を行い、高周波電力給電方式の最適化により静電結合の抑制が可能であることが示された。

In the first year, the results of the development of the source of reflective high density thin films were carried out. In the current year, the composition of the physical vapor deposition system was discussed. For example, if a metal atom is used, it can be used as an azimuth angle of 3 degrees. The film formation speed of 90nm per minute is possible. The synthesis of carbon thin films and the achievement of the stoichiometric composition ratio (N/C=4/3) were studied. The composition analysis of thin films by the method of scattering behind the film is carried out under the conditions of high density of atomic elements and high composition ratio of elements in the film. The composition ratio of elements in the film is very close to N/C=1.3. The chemical binding state is determined by X-ray photoelectron spectroscopy. The results show that the composition ratio of CN in the film increases. The hardness of the film is evaluated by the hardness of the substrate. The hardness of the substrate is 20GPa. It is necessary to study the influence of impurities such as water and other impurities on the microstructure of thin films. In this paper, we discuss how to optimize the mode of high frequency electric power supply and how to suppress electrostatic combination.

项目成果

S.MIYAKE,Y.SETSUHARA,K.SHIBATA,M.KUMAGAI,Y.SAKAWA and T.SHOJI: "Formation of Carbon Nitride Films by Reactive High-Density Plasma Sputtering with Excitation of m=0 Mode Helicon Wave" Surf.& Coatings Technol.(to be published). (1999)

S.MIYAKE、Y.SETSUHARA、K.SHIBATA、M.KUMAGAI、Y.SAKAWA 和 T.SHOJI：“通过激发 m=0 模式螺旋波的反应高密度等离子体溅射形成氮化碳薄膜”冲浪。

Y.SETSUHARA,M.KUMAGAI,M.SUZUKI,T.SUZUKI and S.MIYAKE: "Properties of Cubic Boron Nitride Films with Buffer Layer Control for Stress Relaxation using Ion Beam Assisted Deposition" Surf.& Coatings Technol.(to be Published). (1999)

Y.SETSUHARA、M.KUMAGAI、M.SUZUKI、T.SUZUKI 和 S.MIYAKE：“使用离子束辅助沉积控制缓冲层以实现应力松弛的立方氮化硼薄膜的特性”冲浪。

Y.SETSUHARA,M.YAMASHITA,S.MIYAKE,M.KUMAGAI and J.MUSIL: "Studies on Magnetron Sputtering Assisted by Inductively Coupled RF Plasma for Enhanced Metal Ionization" Jpn.J.Appl.Phys.(to be published). (1999)

Y.SETSUHARA、M.YAMASHITA、S.MIYAKE、M.KUMAGAI 和 J.MUSIL：“感应耦合射频等离子体辅助磁控溅射增强金属电离的研究”Jpn.J.Appl.Phys.（待出版）。

Y.SETSUHARA,S.MIYAKE,Y.SAKAWA and T.SHOJI: "Production of Inductively-Coupled Large-Diameter Plasmas with Internal Antenna" Jpn.J.Appl.Phys. (to be published). (1999)

Y.SETSUHARA、S.MIYAKE、Y.SAKAWA 和 T.SHOJI：“带有内部天线的电感耦合大直径等离子体的生产”Jpn.J.Appl.Phys。

Y.Setsuhara and S.Miyake: "Ion-beam and plasma processing techniques for thin-film synthesis of superhard materials in boron-carbon-nitrogen system" 応用物理. 67-6. 659-663 (1998)

Y.Setsuhara 和 S.Miyake：“硼-碳-氮系统中超硬材料的离子束和等离子体处理技术”应用物理学 67-6（1998）。