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窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用

窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
批准号：
23K23238
负责人：
三宅 秀人
金额：
$3.49万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2025-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K23238/
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Non-polar plane growth of AlGaN nitride semiconductors and its application to deep UV LED
  • 批准号：
    22H01970
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.07万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    三宅 秀人
  • 依托单位：
    Mie University
カルコパイライト型半導体単結晶を基板に用いた同族半導体のエピタキシャル成長
  • 批准号：
    09750015
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    三宅 秀人
  • 依托单位：
    Mie University
移動ヒ-タ法によるカルコパイライト型半導体混晶のバルク単結晶成長と評価
  • 批准号：
    07750012
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.7万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    三宅 秀人
  • 依托单位：
    Mie University
同族半導体を基板に用いたI-III-VI_2族半導体の液相エピタキシャル成長
  • 批准号：
    03855055
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    三宅 秀人
  • 依托单位：
    Mie University