同族半導体を基板に用いたI-III-VI_2族半導体の液相エピタキシャル成長
同族半導体を基板に用いたI-III-VI_2族半導体の液相エピタキシャル成長
批准号:
03855055
负责人:
三宅 秀人
金额:
$0.64万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
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会议论文
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
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批准号:23K23238
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$3.49万
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财政年份:2024
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负责人:三宅 秀人
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依托单位:
Non-polar plane growth of AlGaN nitride semiconductors and its application to deep UV LED
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批准号:22H01970
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.07万
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财政年份:2022
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负责人:三宅 秀人
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依托单位:
カルコパイライト型半導体単結晶を基板に用いた同族半導体のエピタキシャル成長
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批准号:09750015
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1997
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负责人:三宅 秀人
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依托单位:
移動ヒ-タ法によるカルコパイライト型半導体混晶のバルク単結晶成長と評価
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批准号:07750012
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1995
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负责人:三宅 秀人
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依托单位: