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Non-polar plane growth of AlGaN nitride semiconductors and its application to deep UV LED
AlGaN氮化物半导体非极性面生长及其在深紫外LED中的应用
基本信息
- 批准号：22H01970
- 负责人：
- 金额：$ 11.07万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2022
- 资助国家：日本
- 起止时间：2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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三宅 秀人其他文献
高温アニールしたAlNテンプレート上のAlGaN成長における異常成長の起源
高温退火 AlN 模板上 AlGaN 生长异常生长的根源
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
上杉 謙次郎;手銭 雄太;肖 世玉;則松 研二;岡村 実奈;荒木 努;三宅 秀人 - 通讯作者：
三宅 秀人
超伝導回路の深層学習応用
超导电路的深度学习应用
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
中山 大輝;毛利 真一郎;福田 安莉;高林 佑介;正直 花奈子;三宅 秀人;荒木 努;川島 滉太，石澤 淳，高 磊，徐 学俊，土澤 泰，相原 卓磨，西川 正，コン グァンウェイ，山本 宗継，山田 浩治，小栗 克弥;永井幹人，山口晋，藏谷乙矢;O. Chen - 通讯作者：
O. Chen
既設道路橋床版から切り出したRCはりの曲げ破壊挙動
从现有公路桥面板切下的 RC 梁的弯曲破坏行为
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
本田 啓人;梅田 颯志;正直 花奈子;三宅 秀人;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;芦澤那南;Hiroki Motoyama;中村拓郎， 金澤健， 坂口淳一， 安中新太郎 - 通讯作者：
中村拓郎， 金澤健， 坂口淳一， 安中新太郎
ナノパターンを有するスパッタ・アニール法AlNテンプレート上へのAlNのMOVPE成長
具有纳米图案的溅射退火 AlN 模板上 AlN 的 MOVPE 生长
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
伊庭 由季乃;正直 花奈子;窪谷 茂幸;上杉 謙次郎;肖 世玉;三宅 秀人 - 通讯作者：
三宅 秀人
鋼構造骨組に組み込んだ方杖補強部材が与える影響 その1.半剛接骨組に組み込んだ靭性型方杖の解析的検討
钢结构框架中藤条加强构件的影响第1部分：半刚性框架中韧性型渠道的分析研究
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
白土 達也;上杉 謙次郎;窪谷 茂幸;正直 花奈子;三宅 秀人;江川勇斗 - 通讯作者：
江川勇斗
三宅 秀人的其他文献
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{{ truncateString('三宅 秀人', 18)}}的其他基金
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
- 批准号：
23K23238 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
カルコパイライト型半導体単結晶を基板に用いた同族半導体のエピタキシャル成長
以黄铜矿半导体单晶为衬底的同系半导体外延生长
- 批准号：
09750015 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
移動ヒ-タ法によるカルコパイライト型半導体混晶のバルク単結晶成長と評価
移动加热器法黄铜矿型半导体混晶的块状单晶生长及评价
- 批准号：
07750012 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
同族半導体を基板に用いたI-III-VI_2族半導体の液相エピタキシャル成長
以同质半导体为衬底的 I-III-VI_2 族半导体的液相外延生长
- 批准号：
03855055 - 财政年份：1991
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
相似国自然基金
基于第三代半导体氮化镓的深紫外LED医院环境消毒技术研发及多中心消毒效果研究
- 批准号：
- 批准年份：2024
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
AlGaN基深紫外LED发光效率和可靠性协同提升机制研究
- 批准号：62374076
- 批准年份：2023
- 资助金额：48 万元
- 项目类别：面上项目
深紫外LED纳米结构界面光场调控与全模式光提取增强研究
- 批准号：62304144
- 批准年份：2023
- 资助金额：30.00 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于仿生学超构表面提升AlGaN基深紫外LED光提取效率的研究
- 批准号：
- 批准年份：2023
- 资助金额：10.0 万元
- 项目类别：省市级项目
基于可解释神经网络的深紫外LED性能影响参数反演方法研究
- 批准号：62374015
- 批准年份：2023
- 资助金额：48 万元
- 项目类别：面上项目
地聚合物胶粘剂封装深紫外LED异质基体材料粘接机理研究
- 批准号：
- 批准年份：2023
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
深紫外LED封装用地聚合物异质材料粘接机理研究
- 批准号：52302032
- 批准年份：2023
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
用于AlGaN基深紫外LED的极化调制隧穿结构研究
- 批准号：
- 批准年份：2022
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于偏振调控/能带剪裁的高效AlGaN基深紫外LED的研究
- 批准号：
- 批准年份：2022
- 资助金额：54 万元
- 项目类别：面上项目
台阶聚并条件下AlGaN基深紫外LED生长与光电特性研究
- 批准号：
- 批准年份：2021
- 资助金额：58 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
- 批准号：
23K23238 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ジェットエンジン機構を用いた超高温結晶成長220nm波長帯深紫外LEDの開発
利用喷气发动机机制开发超高温晶体生长220nm波段深紫外LED
- 批准号：
23K23241 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
深紫外LEDで実現する有機材料の光物質プロセスの探究と制御された生産技術の確立
利用深紫外LED实现有机材料光学材料工艺的探索及受控生产技术的建立
- 批准号：
22K04199 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
金属・半導体多層系ファノ共鳴励起による深紫外LEDの輻射場制御
金属/半导体多层体系Fano共振激发深紫外LED辐射场控制
- 批准号：
20H00348 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Deep ultraviolet LED devices for few-photon optical communications and imaging
用于少光子光通信和成像的深紫外 LED 器件
- 批准号：
2272761 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Studentship
Development of deep ultraviolet LED and LD on nitride semiconductor
氮化物半导体深紫外LED和LD的开发
- 批准号：
22760017 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)