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Non-polar plane growth of AlGaN nitride semiconductors and its application to deep UV LED

Non-polar plane growth of AlGaN nitride semiconductors and its application to deep UV LED
AlGaN氮化物半导体非极性面生长及其在深紫外LED中的应用
批准号：
22H01970
负责人：
三宅 秀人
金额：
$11.07万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2022-04-01 至 2025-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22H01970/
关键词：
窒化物半導体深紫外LED非極性面エピタキシャル成長アニールAlGaNAlN

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窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
  • 批准号：
    23K23238
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $3.49万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    三宅 秀人
  • 依托单位：
    Mie University
カルコパイライト型半導体単結晶を基板に用いた同族半導体のエピタキシャル成長
  • 批准号：
    09750015
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    三宅 秀人
  • 依托单位：
    Mie University
移動ヒ-タ法によるカルコパイライト型半導体混晶のバルク単結晶成長と評価
  • 批准号：
    07750012
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.7万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    三宅 秀人
  • 依托单位：
    Mie University
同族半導体を基板に用いたI-III-VI_2族半導体の液相エピタキシャル成長
  • 批准号：
    03855055
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    三宅 秀人
  • 依托单位：
    Mie University
国内基金
海外基金
基于第三代半导体氮化镓的深紫外LED医院环境消毒技术研发及多中心消毒效果研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2024
  • 负责人：
    茅一萍
  • 依托单位：
    徐州医科大学附属医院
AlGaN基深紫外LED发光效率和可靠性协同提升机制研究
  • 批准号：
    62374076
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    48万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    刘军林
  • 依托单位：
    江苏大学
深紫外LED纳米结构界面光场调控与全模式光提取增强研究
  • 批准号：
    62304144
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30.00万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    梁仁瓅
  • 依托单位：
    深圳信息职业技术学院
基于仿生学超构表面提升AlGaN基深紫外LED光提取效率的研究