Non-polar plane growth of AlGaN nitride semiconductors and its application to deep UV LED

AlGaN氮化物半导体非极性面生长及其在深紫外LED中的应用

基本信息

  • 批准号:
    22H01970
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.07万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2022
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2022-04-01 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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三宅 秀人其他文献

高温アニールしたAlNテンプレート上のAlGaN成長における異常成長の起源
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  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
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  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
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    中村拓郎, 金澤健, 坂口淳一, 安中新太郎
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    伊庭 由季乃;正直 花奈子;窪谷 茂幸;上杉 謙次郎;肖 世玉;三宅 秀人
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  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    白土 達也;上杉 謙次郎;窪谷 茂幸;正直 花奈子;三宅 秀人;江川勇斗
  • 通讯作者:
    江川勇斗

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窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
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  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.07万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    09750015
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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  • 批准号:
    07750012
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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  • 批准号:
    03855055
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似国自然基金

基于第三代半导体氮化镓的深紫外LED医院环境消毒技术研发及多中心消毒效果研究
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窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
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  • 批准号:
    23K23238
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    2024
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    $ 11.07万
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ジェットエンジン機構を用いた超高温結晶成長220nm波長帯深紫外LEDの開発
利用喷气发动机机制开发超高温晶体生长220nm波段深紫外LED
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    23K23241
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    2024
  • 资助金额:
    $ 11.07万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
深紫外LEDで実現する有機材料の光物質プロセスの探究と制御された生産技術の確立
利用深紫外LED实现有机材料光学材料工艺的探索及受控生产技术的建立
  • 批准号:
    22K04199
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
金属・半導体多層系ファノ共鳴励起による深紫外LEDの輻射場制御
金属/半导体多层体系Fano共振激发深紫外LED辐射场控制
  • 批准号:
    20H00348
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
SBIR Phase II: Deep UV LED with High Quality p-AlInGaN Layers by Digital Doping Control
SBIR 第二阶段:采用数字掺杂控制的具有高质量 p-AlInGaN 层的深紫外 LED
  • 批准号:
    0956746
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Deep UV LED with High Quality p-AlInGaN Layers by Digital Doping Control
SBIR 第一阶段:采用数字掺杂控制的具有高质量 p-AlInGaN 层的深紫外 LED
  • 批准号:
    0839492
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: High Power Deep UV LED-Based Lamps
SBIR 第二阶段:高功率深紫外 LED 灯
  • 批准号:
    0620525
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR PHASE I: High Power Deep UV LED-Based Lamps
SBIR 第一阶段:基于 LED 的高功率深紫外灯
  • 批准号:
    0512450
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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知道了