InGaAs2次元電子ガスMISFETの試作

InGaAs二维电子气MISFET原型

• 批准号: 06750299
• 负责人: 赤澤 正道
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750299/
• 关键词: InGaAs; MIS; MISFET; MBE

本研究は、新しい構造をもつ2次元電子ガスMISFETを実現するための基礎的研究である。年限内に得られた成果を以下に挙げる。(1)Si超薄膜による絶縁体(Si_3N_4あるいはSiO_2)-InGaAs界面の制御は、非常に薄い(100Å)InGaAs活性層上においても有効であることがわかり、2次元電子ガスの、MISゲートによる駆動にも成功した。(2)MISゲート電極下の逆HEMT構造のMBE成長条件の最適化を計り、低温成長スペ-サ層の挿入により2次元電子の移動度を、77Kにおいて5,000cm/v・secから40,000cm/v・secまで向上させた。(3)一般的にInGaAs系HEMTにおいて問題となっている、メサエッチングした側面でのゲート電極と2次元電子ガスとの接触に起因する、漏れ電流の問題を、弗化水素による表面処理とSi超薄膜形成とを組み合わせて、界面を制御して絶縁体を推積することにより回避することに成功した。年限内に、良好な特性を有する2次元電子ガスMISFETの実現には到達しなかった。これは、ソース・ドレイン電極のオーミック接触の抵抗値を下げる技術を開発できなかったためであるが、今後この点が解決されれば、本研究により得られた成果と合わせて、良好な特性を持つ新しい素子が実現すると考えられる。

The purpose of this study is to develop a research project on the basis of two-dimensional electronic engineering (MISFET) in order to realize the cost savings. The following achievements have been obtained within the fixed number of years. The main results are as follows: (1) the interface of Si ultrathin film (Si_3N_4 thin film, Sio _ 2)-InGaAs is used to control the system, and there is a high temperature response on the very thin (100%) InGaAs activity. there are two-dimensional electronic devices, two-dimensional electronic devices, and MIS thin films. (2) under the condition of MIS, the growth conditions of MBE are optimized, the growth temperature at low temperature is affected by the mobility of secondary electrons, and the temperature of 5000cm/ v ·sec is affected by 40000cm/ v ·sec at 77K. (3) in general, the InGaAs system is used in the field of HEMT equipment. (3) in general, the cause of contact between two-dimensional electronic devices, leakage current problems, the formation of ultrathin films of Si on the surface of the water system, and the interface control system are used to prevent the formation of the ultra-thin films of the two-dimensional electrons. Within a fixed number of years, there are two-dimensional electronic products, such as high quality and good performance, which can be realized by the MISFET system. In this study, the results of this study are in line with the results of this study, and the results of this study are in good agreement with the results of this study.