InGaAs2次元電子ガスMISFETの試作

InGaAs二维电子气MISFET原型

基本信息

批准号：
06750299
负责人：
赤澤正道
金额：
$ 0.77万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750299/
关键词：
InGaAs MIS MISFET MBE

项目摘要

本研究は、新しい構造をもつ2次元電子ガスMISFETを実現するための基礎的研究である。年限内に得られた成果を以下に挙げる。(1)Si超薄膜による絶縁体(Si_3N_4あるいはSiO_2)-InGaAs界面の制御は、非常に薄い(100Å)InGaAs活性層上においても有効であることがわかり、2次元電子ガスの、MISゲートによる駆動にも成功した。(2)MISゲート電極下の逆HEMT構造のMBE成長条件の最適化を計り、低温成長スペ-サ層の挿入により2次元電子の移動度を、77Kにおいて5,000cm/v・secから40,000cm/v・secまで向上させた。(3)一般的にInGaAs系HEMTにおいて問題となっている、メサエッチングした側面でのゲート電極と2次元電子ガスとの接触に起因する、漏れ電流の問題を、弗化水素による表面処理とSi超薄膜形成とを組み合わせて、界面を制御して絶縁体を推積することにより回避することに成功した。年限内に、良好な特性を有する2次元電子ガスMISFETの実現には到達しなかった。これは、ソース・ドレイン電極のオーミック接触の抵抗値を下げる技術を開発できなかったためであるが、今後この点が解決されれば、本研究により得られた成果と合わせて、良好な特性を持つ新しい素子が実現すると考えられる。

这项研究是一项基本研究，用于实现具有新结构的2D电子气体失误。以下列出了该期间内获得的结果。（1）发现使用超薄的Si膜控制绝缘子（SI_3N_4或SIO_2） - ingaas界面，即使在极其薄（100Å）INGAAS活动层上也有效，并且二维电子气体也成功地驱动了错误的门。（2）我们测量了MIS栅极电极下的MBE生长条件的优化，并通过插入低温生长间隔层的优化，将二维电子的迁移率从5,000 cm/v·sec提高到40,000 cm/v·Sec。（3）通过将甲状腺蚀刻侧面的二维电子气体接触而引起的泄漏电流问题，通常是INGAAS HEMTS中的一个问题，通过将表面处理与氟化氢和超薄SI膜形成结合，成功地避免了界面，从而控制了界面，从而控制了界面和估计媒介。从长远来看，我们还没有实现具有良好特性的二维电子气体错误。这是因为我们无法开发一种技术来降低源/排水电极的欧姆接触的电阻值，但是如果将来解决了这一点，则认为将实现具有良好特征的新元素与这项研究获得的结果。