グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善
グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善
使用石墨烯改善异质外延生长
批准号：
24K01365
负责人：
成塚 重弥
金额：
$11.9万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2029-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
低コスト太陽電池用半導体単結晶基板の新作製法
-
批准号：14655011
-
项目类别：Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额：$1.22万
-
财政年份：2002
-
负责人：成塚 重弥
-
依托单位：
ハイブリッドマイクロチャンネルエピタキシーを用いたSi上のGaAs無転位結晶
-
批准号：11875002
-
项目类别：Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额：$0.38万
-
财政年份：1999
-
负责人：成塚 重弥
-
依托单位：