Streuende Raster-Nahfeld optische Mikroskopie (s-SNOM)

Streuplayer Raster-Nahfeld optische Mikroskopie（s-SNOM）是一种相对简单的方法，它可以用化学方法分析纳米结构的表面，并使用一种纳米级的光通量。10 nm）möglich韦尔登。化学分析发现，通过直接红外光谱分析，上表面韦尔登的化学成分很高。通过对比探头的红外吸收基础，可以实现韦尔登的小体积测量。该方法是在纳米复合材料中表征纳米结构聚合物和纳米结构上的聚合物的方法，在纳米复合材料中表征纳米结构聚合物和纳米结构上的聚合物的方法，在纳米结构聚合物材料中表征纳米结构聚合物和纳米结构上的聚合物的方法。通过对样品进行化学分析，XPS或STED-Mikroskopie的组合与探针的标记结合起来，不会产生显著的扩散。在哥廷根大学的大分子化学研究中，这种SNOM方法在聚合物的研究中具有很好的应用前景，并具有一种标准的方法。

Die Streuende Raster-Nahfeld optische Mikroskopie (s-SNOM) ist eine relativ junge Methode, mithilfe derer chemische Analyse von nanostrukturierten Oberflächen mit einer Ortsauflösung von wenigen Nanometer (min. ca. 10 nm) möglich werden. Die chemische Analyse findet dabei durch ortsaufgelöste Infrarotspektroskopie statt, wodurch höchstaufgelöste chemische Karten von Oberflächen erzeugt werden. Es können sowohl Abbildungen mit Kontrast auf Basis der der Infrarotabsorption der Probe als auch komplette Infrarotspektren von sehr kleinen Probenvolumina erzeugt werden. Diese Methode ist für die Charakterisierung von nanostrukturierten Polymeroberflächen und von Oberflächen in Nanokompositen, bei der chemischen Funktionalisierung von Oberflächen sowie bei der Identifizierung von Mikrostrukturen in maßgeschneiderten Polymermaterialen von unschätzbarem Wert. Mit klassischer Rasterkraftmikroskopie lässt sich keine chemische Analyse durchführen, abbildende XPS oder STED-Mikroskopie in Kombination mit Fluoreszenzmarkierung der Proben liefern nicht das notwendige Auflösungsvermögen. Das s-SNOM wird in allen Bereichen der Forschung an Polymeren an Oberflächen sehr wertvolle Beiträge liefern und sich zu einer standardmäßig eingesetzten Methode in der Makromolekularen Chemie in Göttingen entwickeln.