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Development of ion-assisted surface diffusion polishing method to flatten diamond surfaces in atomic level
开发离子辅助表面扩散抛光方法以在原子水平上平整金刚石表面
基本信息
- 批准号：16K14124
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（17）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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Ogawa Shuichi其他文献
Oxygen Gas Barrier Property of Monolayer CVD Graphene
单层CVD石墨烯的氧气阻隔性能
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Ogawa Shuichi
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应变和载流子在硅氧化中的作用
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Flattening of copper surfaces with a low energy xenon-ion source generated by photoemission-assisted plasma
使用光电子辅助等离子体产生的低能氙离子源平整铜表面
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- 影响因子：1.5
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Takakuwa Yuji
Interfacial oxidation kinetics at SiO2/Si(001) mediated by the generation of point defects: Effect of raising O2 pressure
由点缺陷的产生介导的 SiO2/Si(001) 界面氧化动力学：提高 O2 压力的影响
- DOI：
10.1063/1.5034395 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：1.6
- 作者：
Ogawa Shuichi;Takakuwa Yuji - 通讯作者：
Takakuwa Yuji
Two-step model for reduction reaction of ultrathin nickel oxide by hydrogen
超薄氧化镍氢还原反应的两步模型
- DOI：
10.1116/6.0001056 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ogawa Shuichi;Taga Ryo;Yoshigoe Akitaka;Takakuwa Yuji - 通讯作者：
Takakuwa Yuji
Ogawa Shuichi的其他文献
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{{ truncateString('Ogawa Shuichi', 18)}}的其他基金
Silicene surrounded by oxide- Development using self-limitation of oxidation and oxidation-induced strain
被氧化物包围的硅烯——利用氧化自限制和氧化诱导应变进行开发
- 批准号：
16H05969 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
相似国自然基金
微弧氧化中空化剥离机制及其硅表面平坦化设计
- 批准号：51701153
- 批准年份：2017
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超低k介质/铜异质表面平坦化中的界面原子/分子迁移行为与损伤机制研究
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- 项目类别：重大研究计划
相似海外基金
ナノスケール表面平坦化のためのドライ研磨プロセスの開発
纳米级表面平坦化干抛光工艺的开发
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触媒作用を援用した化学研磨プロセスによるSiC基板表面平坦化に関する研究
利用催化作用的化学抛光工艺平坦化SiC衬底表面的研究
- 批准号：
18760102 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)