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Quasi-quantitative characterization of defect density in SiC substrate after thermal oxidation by photo-assited capacitance measurement
通过光辅助电容测量准定量表征热氧化后 SiC 衬底中的缺陷密度
基本信息
- 批准号：16K14227
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（34）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Kita Koji其他文献
Control of thermal oxidation of 4H-SiC(0001) to enhance MOSFET channel mobility by tuning partial pressures of oxidants (O2 and H2O) and oxidation temperature
通过调节氧化剂（O2 和 H2O）分压和氧化温度来控制 4H-SiC(0001) 的热氧化，以增强 MOSFET 沟道迁移率
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Hirai Hirohisa;Ishinoda Kei;Kita Koji - 通讯作者：
Kita Koji
Minimization of SiO2/4H-SiC (0001) Interface State Density by Low-Temperature Post-Oxidation-Annealing in Wet Ambient after Nitrogen Passivation
氮钝化后在湿环境中通过低温后氧化退火最小化 SiO2/4H-SiC (0001) 界面态密度
- DOI：
10.1149/08602.0061ecst - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kita Koji;Nishida Mizuki;Sakuta Ryota;Hirai Hirohisa - 通讯作者：
Hirai Hirohisa
Anomalous temperature dependence of Al2O3/SiO2 and Y2O3/SiO2 interface dipole layer strengths
Al2O3/SiO2 和 Y2O3/SiO2 界面偶极层强度的反常温度依赖性
- DOI：
10.1063/1.5079926 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：
Nittayakasetwat Siri;Kita Koji - 通讯作者：
Kita Koji
Significant Structural Distortion in the Surface Region of 4H-SiC Induced by Thermal Oxidation and Recovered by Ar Annealing
热氧化引起的 4H-SiC 表面区域显着的结构畸变并通过 Ar 退火恢复
- DOI：
10.1149/08612.0063ecst - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kita Koji;Hatmanto Adhi Dwi - 通讯作者：
Hatmanto Adhi Dwi
Interface-Selective Low-Temperature Wet-O2 Annealing to Enhance 4H-SiC(0001) MOSFET Mobility by Improving Near Interface SiO2 Quality
界面选择性低温湿式 O2 退火通过提高近界面 SiO2 质量来增强 4H-SiC(0001) MOSFET 迁移率
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Hirai Hirohisa;Ishinoda Kei;Kita Koji - 通讯作者：
Kita Koji
Kita Koji的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Kita Koji', 18)}}的其他基金
Study on Limiting Factors of Electron Mobility in SiC MOS Inversion Channel with Improved Quality Interface
改善界面质量的SiC MOS反型沟道电子迁移率限制因素研究
- 批准号：
15H03969 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
表面・界面物性制御による極低反射率結晶シリコン太陽電池の超高効率化
通过控制表面和界面物理性质实现超低反射率晶体硅太阳能电池的超高效率
- 批准号：
17J03077 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強誘電体/シリコン機能調和材料の創成と表面・界面物性の解明
创建铁电/硅功能兼容材料并阐明表面和界面特性
- 批准号：
99J81803 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
X00040----220320 - 财政年份：1977
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
X00040----121121 - 财政年份：1976
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
X00040----021815 - 财政年份：1975
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research