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Quasi-quantitative characterization of defect density in SiC substrate after thermal oxidation by photo-assited capacitance measurement

Quasi-quantitative characterization of defect density in SiC substrate after thermal oxidation by photo-assited capacitance measurement
通过光辅助电容测量准定量表征热氧化后 SiC 衬底中的缺陷密度
批准号：
16K14227
负责人：
Kita Koji
金额：
$2.33万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K14227/
关键词：
電子・電気材料表面・界面物性半導体物性電子デバイス・機器光照射炭化ケイ素界面準位密度インピーダンス解析欠陥準位光吸収

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Study on Limiting Factors of Electron Mobility in SiC MOS Inversion Channel with Improved Quality Interface
  • 批准号：
    15H03969
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $10.82万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Kita Koji
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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