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Study on Limiting Factors of Electron Mobility in SiC MOS Inversion Channel with Improved Quality Interface

Study on Limiting Factors of Electron Mobility in SiC MOS Inversion Channel with Improved Quality Interface
改善界面质量的SiC MOS反型沟道电子迁移率限制因素研究
批准号:
15H03969
负责人:
Kita Koji
金额:
$10.82万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31

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酸化レートの変化からみた4H-SiC Si面ウェット酸化雰囲気中に共存する酸素の役割
从氧化速率变化角度分析4H-SiC Si表面湿式氧化气氛中共存氧的作用
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [Atsuo Sadakata, Dai Taguchi, Takaaki Manaka, Mitsumasa Iwamoto, 石野田圭,平井悠久,喜多浩之]
通讯作者: 石野田圭,平井悠久,喜多浩之
ウェット酸化条件の制御による4H-SiC C面上MOS界面特性への影響
控制湿式氧化条件对4H-SiC C面MOS界面特性的影响
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [土器屋翔平, 水野英之, 香月浩之, 山下兼一, 佐々木史雄, 柳久雄, 梶房裕之,喜多浩之]
通讯作者: 梶房裕之,喜多浩之
In-Plane X-ray Diffractometry Study on Thermal Oxidation-induced Anomalous Lattice Distortion at 4H-SiC Surfaces
4H-SiC 表面热氧化引起的反常晶格畸变的面内 X 射线衍射研究
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [Takuya Hamada, Hayato Mukai, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, Hiroki Kuroiwa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, and Kazuo Tsutsui, Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita]
通讯作者: Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [Koji Kita, Hirohisa Hirai, and Kei Ishinoda]
通讯作者: and Kei Ishinoda
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    Quasi-quantitative characterization of defect density in SiC substrate after thermal oxidation by photo-assited capacitance measurement
    • 批准号:
      16K14227
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.33万
    • 财政年份:
      2016
    • 负责人:
      Kita Koji
    • 依托单位:
    海外基金