Control of carrier doping using atomic layer silicide semiconductors
Control of carrier doping using atomic layer silicide semiconductors
使用原子层硅化物半导体控制载流子掺杂
批准号：
24656220
负责人：
UCHIDA Noriyuki
金额：
$2.5万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Low-barrier heterojunction of epitaxial silicide composed of W encapsulating Si clusters with n-type Si
W封装Si团簇与n型Si组成的外延硅化物低势垒异质结
W封装Si团簇与n型Si组成的外延硅化物低势垒异质结
DOI：
10.1063/1.4767136
发表时间：
2012
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[N. Okada, N. Uchida and T. Kanayama]
通讯作者：
N. Uchida and T. Kanayama
Electrical properties of amorphous and epitaxial Si-rich silicide films
非晶和外延富硅硅化物薄膜的电学特性
非晶和外延富硅硅化物薄膜的电学特性
DOI：
10.1063/1.4913859
发表时间：
2015
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[N. Okada, N. Uchida, T. Kanayama]
通讯作者：
T. Kanayama
Fermi-level depinning and contact resistance reduction in metal/n-Ge junctions by insertion of W-encapsulating Si cluster films
通过插入 W 封装硅簇薄膜实现金属/n-Ge 结的费米能级脱钉和接触电阻降低
通过插入 W 封装硅簇薄膜实现金属/n-Ge 结的费米能级脱钉和接触电阻降低
DOI：
10.1063/1.4864321
发表时间：
2014
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kayanama]
通讯作者：
Toshihiko Kayanama
遷移金属内包Siクラスターを単位構造としたシリサイド半導体とSiとの接合特性
以含过渡金属的Si簇为单位结构的硅化物半导体与Si之间的键合特性
以含过渡金属的Si簇为单位结构的硅化物半导体与Si之间的键合特性
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岡田直也, 内田紀行, 金山敏彦]
通讯作者：
金山敏彦
タングステン内包Siクラスター薄膜を用いたGeとの金属接合技術の開発
利用含钨Si簇薄膜开发与Ge的金属键合技术
利用含钨Si簇薄膜开发与Ge的金属键合技术
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岡田直也, 内田紀行, 金山敏彦]
通讯作者：
金山敏彦
共 12 条
Fabrication of atomic layer silicide semiconductor on Si substrates
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批准号：21760019
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.91万
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财政年份：2009
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负责人：UCHIDA Noriyuki
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依托单位：
海外基金