刷新
{{item.name}}会员
Control of carrier doping using atomic layer silicide semiconductors
使用原子层硅化物半导体控制载流子掺杂
基本信息
- 批准号：24656220
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（14）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low-barrier heterojunction of epitaxial silicide composed of W encapsulating Si clusters with n-type Si
W封装Si团簇与n型Si组成的外延硅化物低势垒异质结
- DOI：10.1063/1.4767136
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：N. Okada;N. Uchida and T. Kanayama
- 通讯作者：N. Uchida and T. Kanayama
Electrical properties of amorphous and epitaxial Si-rich silicide films
非晶和外延富硅硅化物薄膜的电学特性
- DOI：10.1063/1.4913859
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：N. Okada;N. Uchida;T. Kanayama
- 通讯作者：T. Kanayama
Fermi-level depinning and contact resistance reduction in metal/n-Ge junctions by insertion of W-encapsulating Si cluster films
通过插入 W 封装硅簇薄膜实现金属/n-Ge 结的费米能级脱钉和接触电阻降低
- DOI：10.1063/1.4864321
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Naoya Okada;Noriyuki Uchida;Toshihiko Kayanama
- 通讯作者：Toshihiko Kayanama
遷移金属内包Siクラスターを単位構造としたシリサイド半導体とSiとの接合特性
以含过渡金属的Si簇为单位结构的硅化物半导体与Si之间的键合特性
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：岡田直也;内田紀行;金山敏彦
- 通讯作者：金山敏彦
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
UCHIDA Noriyuki其他文献
UCHIDA Noriyuki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('UCHIDA Noriyuki', 18)}}的其他基金
Fabrication of atomic layer silicide semiconductor on Si substrates
硅衬底上原子层硅化物半导体的制备
- 批准号：
21760019 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
導電性高分子の構造・物性制御による革新的電子機能の創出
通过控制导电聚合物的结构和物理性能创造创新的电子功能
- 批准号：
22H01935 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Determination of topological quantum numbers and search for novel electronic phases in Kitaev quantum spin liquid materials
确定基塔耶夫量子自旋液体材料中的拓扑量子数并寻找新型电子相
- 批准号：
21H01793 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Realization of field-induced superconductivity in surface-functionalized diamonds
表面功能化金刚石场致超导的实现
- 批准号：
19K22133 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Development of cationic boron materials with multivalent ions
多价离子阳离子硼材料的研制
- 批准号：
19K23633 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
透明でフレキシブルなグラフェンアンテナの特性制御と設計
透明柔性石墨烯天线的特性控制与设计
- 批准号：
19J14640 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Creation of Opto-Iontronics
创建光电子学
- 批准号：
19K22127 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Carrier-doping into Kitaev spin liquids by soft chemical process
通过软化学工艺将载流子掺杂到 Kitaev 自旋液体中
- 批准号：
19K21837 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Creation of light-induced two dimentional superconductivity at the surface of organic crystals
在有机晶体表面产生光致二维超导
- 批准号：
19H02584 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Pressure-induced superconductivity in carried doped two-dimensional layered materials
负载掺杂二维层状材料中的压力诱导超导
- 批准号：
19H02676 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Continuous carrier control of redox MOFs by electrochemical doping
通过电化学掺杂连续控制氧化还原 MOF 的载流子
- 批准号：
19H02729 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)