Detection of pure spin current in topological insultors by using the inverse spin Hall effect

利用逆自旋霍尔效应检测拓扑绝缘体中的纯自旋电流

基本信息

  • 批准号:
    25600076
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Detection of Surface Spin Current in 3-D Topological Insulator, BiSbSeTe
3 维拓扑绝缘体 BiSbSeTe 中表面自旋电流的检测
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    G. Eguchi;K. Kuroda;K. Shirai;A. Kimura;M. Shiraishi;M. Shiraishi
  • 通讯作者:
    M. Shiraishi
Electrical detection of the Spin Polarized current due to spin-momentum locking in the surface state of the topological insulator Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3
拓扑绝缘体 Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3 表面态自旋动量锁定引起的自旋极化电流的电学检测
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    G. Eguchi;K. Kuroda;K. Shirai;A. Kimura;M. Shiraishi;M. Shiraishi;Y.Ando
  • 通讯作者:
    Y.Ando
Comparison of the spin injection/extraction efficiencies between bulk-insulating and –metallic topological insulators
体绝缘体和金属拓扑绝缘体之间的自旋注入/提取效率比较
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    G. Eguchi;K. Kuroda;K. Shirai;A. Kimura;M. Shiraishi;M. Shiraishi;Y.Ando;T.Hamasaki
  • 通讯作者:
    T.Hamasaki
Electrical Detection of the Spin Polarization Due to Charge Flow in the Surface State of the Topological Insulator Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3
  • DOI:
    10.1021/nl502546c
  • 发表时间:
    2014-11-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.8
  • 作者:
    Ando, Yuichiro;Hamasaki, Takahiro;Shiraishi, Masashi
  • 通讯作者:
    Shiraishi, Masashi
Fabricaiton of ferromagnetic/topological insulator spin devices for detection of spin current in topological surface state
用于检测拓扑表面态自旋电流的铁磁/拓扑绝缘体自旋装置的制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Hamasaki;Yu. Ando;Yo. Ando;M. Shiraishi(最優秀ポスター賞受賞)
  • 通讯作者:
    M. Shiraishi(最優秀ポスター賞受賞)
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