Measurement of spin transport properties and spin coherence in molecular semiconductors

分子半导体中自旋输运特性和自旋相干性的测量

基本信息

  • 批准号:
    22360008
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.56万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The purpose of this project is to estimate spin coherence in molecular semiconductors precisely. In the first stage of the project, I was provided a molecular spin valve device from a collaborator in Italy (Dr. V. Dediu) and tried to measure spin precession of propagating spins in molecular semiconductors, which is called as Hanle effect. However, no such effect was observed due to less reliability of spin injection into molecules in the device. He nce, in the second stage, experimental investigations of an interfacial electronics structures between molecular semiconductor single crystal and ferromagnetic metals and modulation of the electronic structure were implemented, in addition to a search for a new oxide ferromagnet as a good spin source for molecular semiconductors. Both were successfully carried out. In the final stage, a new spin injection method, dynamical spin pumping, was introduced, and spin injection into a zero-gap molecular semiconductor, single-layer graphene, was successfully demonstrated and spin coherence was precisely measured. This project revealed serious problems in earlier studies of molecular spintronics, and enabled an establishment of a novel spin injection method into molecular semiconductors.
本项目的目的是精确估计分子半导体中的自旋相干性。在项目的第一阶段,意大利的合作者(Dr. V. Dediu)为我提供了一个分子自旋阀装置,并试图测量分子半导体中传播自旋的自旋进动,这被称为Hanle效应。然而,由于器件中自旋注入分子的可靠性较低,没有观察到这种效应。在第二阶段,对分子半导体单晶与铁磁金属之间的界面电子结构进行了实验研究,并对其电子结构进行了调制,同时寻找了一种新的氧化铁磁作为分子半导体的良好自旋源。这两项都成功地实施了。最后,引入了一种新的自旋注入方法——动态自旋泵浦,成功地证明了自旋注入到零间隙分子半导体单层石墨烯中,并精确测量了自旋相干性。该项目揭示了早期分子自旋电子学研究中存在的严重问题,并建立了一种新的自旋注入分子半导体的方法。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Realization of ohmic-like contact between ferromagnet and rubrene single crystal
  • DOI:
    10.1063/1.4745778
  • 发表时间:
    2012-08
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Y. Kitamura;E. Shikoh;Kosuke Sawabe;T. Takenobu;M. Shiraishi
  • 通讯作者:
    Y. Kitamura;E. Shikoh;Kosuke Sawabe;T. Takenobu;M. Shiraishi
Molecular Spintronics
純スピン流を用いたグラフェン中の低消費電力スピン情報伝播に向けて
使用纯自旋电流实现石墨烯中低功率自旋信息传播
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    B. P. Bastakoti;S. Guragain;Y. Yokoyama;S. Yusa;K. Nakashima;白石誠司
  • 通讯作者:
    白石誠司
ルブレン単結晶と強磁性Ni界面への電子受容体挿入によるショットキーバリアの低減
通过将电子受体插入红荧烯单晶和铁磁 Ni 界面来降低肖特基势垒
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Kakuda;K. Makino;T. Ishida;S. Kuboya;K. Onabe;北村雄太
  • 通讯作者:
    北村雄太
Recent Progress on Group-IV Spintronics
第四族自旋电子学的最新进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Ishida;M. Kakuda;S. Kuboya;K.Onabe;Masamitu Takahasi;M. Shiraishi
  • 通讯作者:
    M. Shiraishi
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    2013
  • 资助金额:
    $ 12.56万
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    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 12.56万
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