creation of contacts with ultralow electron barrier height by nano structure control of metal-nitride/group-IV semiconductor interfaces
creation of contacts with ultralow electron barrier height by nano structure control of metal-nitride/group-IV semiconductor interfaces
通过金属氮化物/IV族半导体界面的纳米结构控制创建具有超低电子势垒高度的接触
批准号：
25600101
负责人：
NAKASHIMA HIROSHI
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
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4族金属窒化膜を用いたSiへの低障壁・低抵抗コンタクトの形成
使用第 4 族金属氮化物薄膜形成与 Si 的低势垒、低电阻接触
使用第 4 族金属氮化物薄膜形成与 Si 的低势垒、低电阻接触
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山本 祐介, 村山 亮介, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛]
通讯作者：
中島 寛
Fabrication of Metal-Nitride/Si Contactswith Low Electron Barrier Height
低电子势垒高度金属氮化物/硅接触的制备
低电子势垒高度金属氮化物/硅接触的制备
DOI：
10.1149/05809.0053ecst
发表时间：
2013
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[K. Yamamoto, K. Asakawa, D. Wang, H. Nakashima]
通讯作者：
H. Nakashima
n形3C-SiCへのゲートスタックの低温形成
n 型 3C-SiC 上栅极堆叠的低温形成
n 型 3C-SiC 上栅极堆叠的低温形成
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山本 裕介, 村山 亮介, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 菱木 繁臣, 川村 啓介]
通讯作者：
川村 啓介
高温動作CMOS実現に向けた3C-SiC上へのゲート絶縁膜形成
在3C-SiC上形成栅极绝缘膜以实现高温操作CMOS
在3C-SiC上形成栅极绝缘膜以实现高温操作CMOS
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[村山 亮介, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛]
通讯作者：
中島 寛
中島研究室ホームページ
中岛实验室主页
中岛实验室主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 7 条
Development of basic technology for achievement of metal source/drain Ge-CMOS device
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批准号：25249035
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$25.21万
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财政年份：2013
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负责人：NAKASHIMA HIROSHI
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依托单位：