creation of contacts with ultralow electron barrier height by nano structure control of metal-nitride/group-IV semiconductor interfaces

通过金属氮化物/IV族半导体界面的纳米结构控制创建具有超低电子势垒高度的接触

• 批准号: 25600101
• 负责人: NAKASHIMA HIROSHI
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25600101/
• 关键词: 界面; 低電子障壁; Si, SiC; パワーデバイス; Si; SiC

项目成果

4族金属窒化膜を用いたSiへの低障壁・低抵抗コンタクトの形成

使用第 4 族金属氮化物薄膜形成与 Si 的低势垒、低电阻接触

• 发表时间: 2013
• 作者: 山本 祐介;村山 亮介;山本 圭介;王 冬;中島 寛
• 通讯作者: 中島 寛

Fabrication of Metal-Nitride/Si Contactswith Low Electron Barrier Height

低电子势垒高度金属氮化物/硅接触的制备

• DOI: 10.1149/05809.0053ecst
• 发表时间: 2013
• 期刊: ECS Transactions
• 作者: K. Yamamoto;K. Asakawa;D. Wang;H. Nakashima
• 通讯作者: H. Nakashima

n形3C-SiCへのゲートスタックの低温形成

n 型 3C-SiC 上栅极堆叠的低温形成

• 发表时间: 2014
• 作者: 山本 裕介;村山 亮介;山本 圭介;王 冬;中島 寛;菱木 繁臣;川村 啓介
• 通讯作者: 川村 啓介

高温動作CMOS実現に向けた3C-SiC上へのゲート絶縁膜形成

在3C-SiC上形成栅极绝缘膜以实现高温操作CMOS

• 发表时间: 2013
• 作者: 村山 亮介;山本 圭介;王 冬;中島 寛
• 通讯作者: 中島 寛

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