Development of basic technology for achievement of metal source/drain Ge-CMOS device

金属源漏Ge-CMOS器件实现基础技术开发

• 批准号: 25249035
• 负责人: NAKASHIMA HIROSHI
• 金额: $ 25.21万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25249035/
• 关键词: Ge半導体; 高性能デバイス; 電子材料; 絶縁膜; 金属/半導体コンタクト; 電子・電気材料

项目成果

Direct-bandgap light emission and detection at room temperature in bulk-Ge diodes with HfGe/Ge/TiN structure

HfGe/Ge/TiN 结构体 Ge 二极管的直接带隙光发射和室温检测

• 发表时间: 2015
• 作者: Dong Wang;Takayuki Maekura;Keisuke Yamamoto;Hiroshi Nakashima
• 通讯作者: Hiroshi Nakashima

Effect of Al Post Metallization Annealing on Al2O3/GeO2/Ge Gate Stack

Al 金属化后退火对 Al2O3/GeO2/Ge 栅叠层的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: Yuta Nagatomi;Yuichi Nagaoka;Shintaro Tanaka;Keisuke Yamamoto;Dong Wang; Hiroshi Nakashima
• 通讯作者: Hiroshi Nakashima

Contact properties of group IV metal-nitrides(TiN, ZrN, HfN) on Ge

Ge 上 IV 族金属氮化物（TiN、ZrN、HfN）的接触性能

• 发表时间: 2014
• 作者: Hiroshi Nakashima;Keisuke Yamamoto;Dong Wang;Masatoshi Mitsuhara;Ryutaro Noguchi;Keisuke Hiidome;Minoru Nishida
• 通讯作者: Minoru Nishida

Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack

Al-PMA 对 Al2O3/GeOX/Ge 栅叠层效应的研究

• DOI: 10.1149/06406.0261ecst
• 发表时间: 2014
• 期刊: ECS Transactions
• 作者: Y. Nagatomi;Y. Nagaoka;K. Yamamoto;D. Wang;H. Nakashima
• 通讯作者: H. Nakashima

Al2O3/Ge形成後のプラズマ酸化によるゲートスタックの低温形成

Al2O3/Ge 形成后通过等离子体氧化低温形成栅堆叠

• 发表时间: 2014
• 作者: 永冨 雄太;長岡 裕一;山本 圭介;王 冬;中島 寛
• 通讯作者: 中島 寛