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Development of basic technology for achievement of metal source/drain Ge-CMOS device

Development of basic technology for achievement of metal source/drain Ge-CMOS device
金属源漏Ge-CMOS器件实现基础技术开发
批准号：
25249035
负责人：
NAKASHIMA HIROSHI
金额：
$25.21万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25249035/
关键词：
Ge半導体高性能デバイス電子材料絶縁膜金属/半導体コンタクト電子・電気材料

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发表时间： 2014
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作者： [Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima]
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影响因子： --
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Shintaro Tanaka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima]
通讯作者： Hiroshi Nakashima
共 56 条
    creation of contacts with ultralow electron barrier height by nano structure control of metal-nitride/group-IV semiconductor interfaces
    • 批准号：
      25600101
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      NAKASHIMA HIROSHI
    • 依托单位：
      Kyushu University
    海外基金