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Development of highly efficient and high precision figuring and finishing technique applying anodic oxidation for mold material made of SiC

Development of highly efficient and high precision figuring and finishing technique applying anodic oxidation for mold material made of SiC
开发SiC模具材料阳极氧化高效高精度成形加工技术
批准号：
25630026
负责人：
YAMAMURA Kazuya
金额：
$2.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25630026/
关键词：
陽極酸化反応焼結SiC金型材料形状修正数値制御加工金型SiC研磨非球面

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陽極酸化援用研磨法の単結晶4H-SiC基板への適用に関する検討
阳极氧化辅助抛光方法在单晶4H-SiC衬底上的应用研究
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [今西勇介, 下園直樹, 遠藤勝義, 山村和也, 澤江義則, 細谷憲治]
通讯作者： 細谷憲治
Preliminary study on highly efficient polishing of 4H-SiC utilizing anodic oxidation
阳极氧化高效抛光4H-SiC的初步研究
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Yamamura, K. Hosoya, Y. Imanishi, H. Deng, K. Endo]
通讯作者： K. Endo
反応焼結SiC材の陽極酸化援用研磨法における加工状態の電気化学的モニタリングに関する検討
反应烧结SiC材料阳极氧化辅助抛光工艺条件的电化学监测研究
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [今西勇介, 下園直樹, 遠藤勝義, 山村和也]
通讯作者： 山村和也
Investigation of the anodic oxide layer/SiC interface morphology during anodic oxidation assisted polishing
阳极氧化辅助抛光过程中阳极氧化层/SiC界面形貌的研究
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Hosoya, Y. Imanishi, K. Endo, K. Yamamura]
通讯作者： K. Yamamura
共 16 条
    Development of very thin coaxial cable using fluorine resin covered with high adhesion electroless copper plating
    • 批准号：
      23656105
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      YAMAMURA Kazuya
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of high-efficient damage-free figuring process using open-air type atmospheric pressure plasma
    • 批准号：
      20360068
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.81万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      YAMAMURA Kazuya
    • 依托单位：
      Osaka University