刷新
{{item.name}}会员
Fast phase change speed induced by surface oxidation of phase change material
相变材料表面氧化引起的快速相变速度
基本信息
- 批准号：25630289
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Phase transition characteristics of GeCu2Te3 film
GeCu2Te3薄膜的相变特性
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Sutou;Y. Saito;and J. Koike;Y. Sutou
- 通讯作者：Y. Sutou
Phase Transition Characteristics of GeCu2Te3Film for PCRAM
PCRAM用GeCu2Te3薄膜的相变特性
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Sutou;Y. Saito;and J. Koike
- 通讯作者：and J. Koike
A study on phase change characteristics of (GeTe)1-xSix films
(GeTe)1-xSix薄膜的相变特性研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Sutou;Y. Saito;J. Koike
- 通讯作者：J. Koike
Fast crystallization in Si-doped GeTe amorphous film by surface oxidation
通过表面氧化实现 Si 掺杂 GeTe 非晶薄膜的快速结晶
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Sutou;Y. Saito;J. Koike
- 通讯作者：J. Koike
Investigation of a selective switching device using a phase-change material for a 3-dimensional PCRAM array
研究使用相变材料用于 3 维 PCRAM 阵列的选择性开关器件
- DOI：10.3938/jkps.62.1258
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：JM. Lee;YH. Song;Y. Saito;Y. Sutou;J. Koike
- 通讯作者：J. Koike
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
SUTOU Yuji其他文献
SUTOU Yuji的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('SUTOU Yuji', 18)}}的其他基金
A study on phase change characteristics of Ge-Cu-Te alloy film for PCRAM
PCRAM用Ge-Cu-Te合金薄膜相变特性研究
- 批准号：
23360297 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
価数駆動型の新奇抵抗変化現象を記録原理とした極低消費電力型不揮発性メモリの創成
利用新颖的价驱动电阻变化现象作为记录原理创建超低功耗非易失性存储器
- 批准号：
24K17759 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
不揮発性メモリ搭載型サーバにおける DBMS 集約に関する研究
配备非易失性存储器的服务器中DBMS聚合的研究
- 批准号：
23K28057 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
不揮発性メモリと学習機構を有するスパイキングニューラルネットワークシステムの構築
具有非易失性存储器和学习机制的脉冲神经网络系统的构建
- 批准号：
23K16958 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
次世代データサイエンスのための不揮発性メモリを用いたストレージシステムの研究
用于下一代数据科学的使用非易失性存储器的存储系统研究
- 批准号：
22K17897 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
非接触デバイスに向けた有機不揮発性メモリの開発
用于非接触式设备的有机非易失性存储器的开发
- 批准号：
22K04215 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
不揮発性メモリの特徴を生かした高速なプログラム実行とファイル操作の制御法の研究
利用非易失性存储器特性的高速程序执行和文件操作控制方法研究
- 批准号：
21K11830 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ＭｎＴｅ薄膜の結晶間相変化メカニズムの解明およびその次世代不揮発性メモリへの応用
阐明MnTe薄膜晶间相变机制及其在下一代非易失性存储器中的应用
- 批准号：
19J21117 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Ｃｒ－Ｇｅ－Ｔｅ系層状物質の高速相変化機構の解明及び不揮発性メモリへの応用
阐明Cr-Ge-Te层状材料的快速相变机制及其在非易失性存储器中的应用
- 批准号：
17J02967 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ノードローカルな不揮発性メモリを考慮した大規模動的グラフ向けグラフストア基盤
考虑节点本地非易失性存储器的大规模动态图的图存储平台
- 批准号：
16J00317 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
不揮発性メモリを利用可能な言語処理系の実現
可利用非易失性存储器的语言处理系统的实现
- 批准号：
14J01818 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows