Visible light responsive photocatalysts utilizing nitride semiconductor-based nanostructures for artificial photosynthesis

利用氮化物半导体纳米结构进行人工光合作用的可见光响应光催化剂

基本信息

  • 批准号：
    15K13937
  • 负责人：
    Taketomo Sato
  • 金额：
    $ 2.58万
  • 依托单位：
    Hokkaido University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（41）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Precise Structural Tuning of Porous GaN Using Two-Step Anisotropic Etching for Optical and Photo-Electric Applications
使用两步各向异性蚀刻对光学和光电应用中的多孔 GaN 进行精确结构调整
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Kumazaki;S. Matsumoto;T. Sato
  • 通讯作者：
    T. Sato
Precise Structural Control of GaN Porous Nanostructures Utilizing Anisotropic Electrochemical and Chemical Etching for the Optical and Photoelectrochemical Applications
  • DOI：
    10.1149/2.0771707jes
  • 发表时间：
    2017-05
  • 期刊：
    Journal of The Electrochemical Society
  • 影响因子：
    3.9
  • 作者：
    Y. Kumazaki;S. Matsumoto;Taketomo Sato
  • 通讯作者：
    Y. Kumazaki;S. Matsumoto;Taketomo Sato
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター　電気化学グループ
北海道大学量子综合电子研究中心电化学组
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Formation of GaN porous structures with improved structural controllability by photoassisted electrochemical etching
通过光辅助电化学蚀刻形成具有改进结构可控性的GaN多孔结构
  • DOI：
    10.7567/jjap.55.04ej12
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Y. Kumazaki;Z. Yatabe;and T. Sato
  • 通讯作者：
    and T. Sato
Size-Controlled Formation of High-Aspect Ratio Porous Nanostructures on GaN Substrates Utilizing Photo-Assisted Electrochemical Etching for Photovoltaic Applications
利用用于光伏应用的光辅助电化学蚀刻在 GaN 衬底上控制尺寸形成高深宽比多孔纳米结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Kumazaki;Z. Yatabe;T. Sato
  • 通讯作者：
    T. Sato
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Reduction in Gap State Density near Valence Band Edge at Al2O3/p‐type GaN Interface by Photoelectrochemical Etching and Subsequent SiO2 Cap Annealing
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
    M. Akazawa
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  • 发表时间：
    2001
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Nakagawa;H. Ishii;Takashi Saito;Takahiro Wakui;Taketomo Sato;Katsunori Ishibashii;M. Humphreys
  • 通讯作者：
    M. Humphreys
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  • 期刊：
  • 影响因子：
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  • 作者：
    小川 泰信;野澤 悟徳;田中 良昌;橋本 大志;大山 伸一郎;津田 卓雄;藤原 均;西村 耕司;宮岡 宏;中村 卓司;藤井 良一;Haggstrom Ingemar;Heinselman Craig;Taketomo Sato
  • 通讯作者：
    Taketomo Sato

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    $ 2.58万
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