A study on integrated single organic semiconductor complementary transistors with top-gate structures
A study on integrated single organic semiconductor complementary transistors with top-gate structures
顶栅结构集成单有机半导体互补晶体管的研究
批准号：
15K13969
负责人：
Ohmi Shun-ichiro
金额：
$2.5万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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DOI：
10.7567/jjap.57.02ca08
发表时间：
2018-01
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[M. Hiroki;Y. Maeda;S. Ohmi]
通讯作者：
M. Hiroki;Y. Maeda;S. Ohmi
Electron Injection of N-type Pentacene-based OFET with Nitrogen-Doped LaB6 Bottom-Contact Electrodes
氮掺杂 LaB6 底部接触电极的 N 型并五苯 OFET 的电子注入
氮掺杂 LaB6 底部接触电极的 N 型并五苯 OFET 的电子注入
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yasutaka Maeda, and Shun-ichiro Ohmi]
通讯作者：
and Shun-ichiro Ohmi
DOI：
10.7567/jjap.56.04cl06
发表时间：
2017-03
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Y. Maeda;S. Ohmi]
通讯作者：
Y. Maeda;S. Ohmi
DOI：
10.1587/transele.e100.c.463
发表时间：
2017-05
期刊：
IEICE Trans. Electron.
影响因子：
--
作者：
[Y. Maeda;S. Ohmi;T. Goto;T. Ohmi]
通讯作者：
Y. Maeda;S. Ohmi;T. Goto;T. Ohmi
Thai Microelectronics Research Center(Thailand)
泰国微电子研究中心（泰国）
泰国微电子研究中心（泰国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 33 条
The invention of hafnium-based multi-bit non-volatile memory utilizing polarization/charge trap smart functions
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批准号：19H00758
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$29.04万
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财政年份：2019
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负责人：Ohmi Shun-ichiro
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依托单位：