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The invention of hafnium-based multi-bit non-volatile memory utilizing polarization/charge trap smart functions

The invention of hafnium-based multi-bit non-volatile memory utilizing polarization/charge trap smart functions
利用极化/电荷陷阱智能功能的铪基多位非易失性存储器的发明
批准号：
19H00758
负责人：
Ohmi Shun-ichiro
金额：
$29.04万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H00758/
关键词：
分極電荷蓄積強誘電体高誘電率薄膜電子サイクロトロン共鳴（ECR）スパッタ法高周波（RF）マグネトロンスパッタ法不揮発性多値メモリSi表面原子レベル平坦化電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタ法高周波(RF)マグネトロンスパッタ法強誘電体薄膜ECRスパッタ法RFマグネトロンスパッタ法不揮発性メモリ

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DOI： 10.1587/transele.2018fup0003
发表时间： 2019
期刊： IEICE Transactions on Electronics
影响因子： 0.5
作者： [S. Ohmi, Y. Tsukamoto, and R. M. D. Mailig]
通讯作者： and R. M. D. Mailig
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发表时间： 2019
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发表时间： 2023
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通讯作者： and Shun-ichiro Ohmi
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DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi]
通讯作者： and Shun-ichiro Ohmi
共 147 条
    A study on integrated single organic semiconductor complementary transistors with top-gate structures
    • 批准号：
      15K13969
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Ohmi Shun-ichiro
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金