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The invention of hafnium-based multi-bit non-volatile memory utilizing polarization/charge trap smart functions

The invention of hafnium-based multi-bit non-volatile memory utilizing polarization/charge trap smart functions
利用极化/电荷陷阱智能功能的铪基多位非易失性存储器的发明
批准号:
19H00758
负责人:
Ohmi Shun-ichiro
金额:
$29.04万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2023-03-31

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Kr-plasma sputtering for Pt gate electrode deposition on MFSFET with 5 nm-thick ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory application
用于模拟存储器应用的具有 5 nm 厚铁电非掺杂 HfO2 栅极绝缘体的 MFSFET 上的 Pt 栅极电极沉积的 Kr 等离子体溅射
DOI: --
发表时间: 2023
期刊: IEICE Trans. Electron
影响因子: --
作者: [Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi]
通讯作者: and Shun-ichiro Ohmi
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: [Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi]
通讯作者: and Shun-ichiro Ohmi
Hf-based Ferroelectric Thin Films for MFSFET Application
用于 MFSFET 应用的铪基铁电薄膜
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: [田沼 将一, Joong-Won Shin, 大見 俊一郎, 田沼将一,Joong-Won Shin,大見俊一郎, Joong-Won Shin and Shun-ichiro Ohmi]
通讯作者: Joong-Won Shin and Shun-ichiro Ohmi
Pentacene-based organic floating-gate memory utilizing N-doped LaB6 metal and LaBxNy insulating layers for flexible device applications
基于并五苯的有机浮栅存储器,采用 N 掺杂 LaB6 金属和 LaBxNy 绝缘层,用于柔性器件应用
DOI: --
发表时间: 2021
期刊:
影响因子: --
作者: [Shun-ichiro Ohmi, Kyung Eun Park, Hideki Kamata, and Eun Ki Hong]
通讯作者: and Eun Ki Hong
共 147 条
    A study on integrated single organic semiconductor complementary transistors with top-gate structures
    • 批准号:
      15K13969
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.5万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      Ohmi Shun-ichiro
    • 依托单位:
    海外基金