The invention of hafnium-based multi-bit non-volatile memory utilizing polarization/charge trap smart functions

利用极化/电荷陷阱智能功能的铪基多位非易失性存储器的发明

• 批准号: 19H00758
• 负责人: Ohmi Shun-ichiro
• 金额: $ 29.04万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H00758/
• 关键词: 分極; 電荷蓄積; 強誘電体; 高誘電率薄膜; 電子サイクロトロン共鳴（ECR）スパッタ法; 高周波（RF）マグネトロンスパッタ法; 不揮発性多値メモリ; Si表面原子レベル平坦化; 電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタ法; 高周波(RF)マグネトロンスパッタ法; 強誘電体薄膜; ECRスパッタ法; RFマグネトロンスパッタ法; 不揮発性メモリ

项目成果

HfO2基強誘電体膜のラマン分光測定

HfO2基铁电薄膜的拉曼光谱测量

• 发表时间: 2021
• 作者: 高橋雄真;白石貴久;小寺正徳;志村礼司郎;三村和仙;森分博紀;田口綾子;舟窪浩
• 通讯作者: 舟窪浩

窒素添加LaB6薄膜を用いた極薄h-BN/LaB6ヘテロ構造の作製

利用氮掺杂 LaB6 薄膜制备超薄 h-BN/LaB6 异质结构

• 发表时间: 2021
• 作者: 長岡克己;相澤俊;大見俊一郎
• 通讯作者: 大見俊一郎

Pentacene-based organic floating-gate memory utilizing N-doped LaB6 metal and LaBxNy insulating layers for flexible device applications

基于并五苯的有机浮栅存储器，采用 N 掺杂 LaB6 金属和 LaBxNy 绝缘层，用于柔性器件应用

• 发表时间: 2021
• 作者: Shun-ichiro Ohmi;Kyung Eun Park;Hideki Kamata;and Eun Ki Hong
• 通讯作者: and Eun Ki Hong

The low temperature fabrication of gate-first Schottky barrier pMOSFET with PdErSi source and drain

PdErSi源漏先栅肖特基势垒pMOSFET的低温制作

• 发表时间: 2020
• 作者: Rengie Mark D. Mailig;Yuichiro Aruga;Min Gee Kim;and Shun-ichiro Ohmi
• 通讯作者: and Shun-ichiro Ohmi

Hf-based Ferroelectric Thin Films for MFSFET Application

用于 MFSFET 应用的铪基铁电薄膜

• 发表时间: 2022
• 作者: 田沼 将一;Joong-Won Shin;大見 俊一郎;田沼将一，Joong-Won Shin，大見俊一郎;Joong-Won Shin and Shun-ichiro Ohmi
• 通讯作者: Joong-Won Shin and Shun-ichiro Ohmi