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The invention of hafnium-based multi-bit non-volatile memory utilizing polarization/charge trap smart functions

The invention of hafnium-based multi-bit non-volatile memory utilizing polarization/charge trap smart functions
利用极化/电荷陷阱智能功能的铪基多位非易失性存储器的发明
批准号：
19H00758
负责人：
Ohmi Shun-ichiro
金额：
$29.04万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H00758/
关键词：
分極電荷蓄積強誘電体高誘電率薄膜電子サイクロトロン共鳴（ECR）スパッタ法高周波（RF）マグネトロンスパッタ法不揮発性多値メモリSi表面原子レベル平坦化電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタ法高周波(RF)マグネトロンスパッタ法強誘電体薄膜ECRスパッタ法RFマグネトロンスパッタ法不揮発性メモリ

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Kr-plasma sputtering for Pt gate electrode deposition on MFSFET with 5 nm-thick ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory application
用于模拟存储器应用的具有 5 nm 厚铁电非掺杂 HfO2 栅极绝缘体的 MFSFET 上的 Pt 栅极电极沉积的 Kr 等离子体溅射
DOI： --
发表时间： 2023
期刊： IEICE Trans. Electron
影响因子： --
作者： [Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi]
通讯作者： and Shun-ichiro Ohmi
Investigation of the etching process for Pt gate electrode on the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped HfO2 thin films
Pt栅电极刻蚀工艺对5 nm厚非掺杂HfO2薄膜铁电性能的影响
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi]
通讯作者： and Shun-ichiro Ohmi
Hf-based Ferroelectric Thin Films for MFSFET Application
用于 MFSFET 应用的铪基铁电薄膜
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [田沼 将一, Joong-Won Shin, 大見 俊一郎, 田沼将一，Joong-Won Shin，大見俊一郎, Joong-Won Shin and Shun-ichiro Ohmi]
通讯作者： Joong-Won Shin and Shun-ichiro Ohmi
Pentacene-based organic floating-gate memory utilizing N-doped LaB6 metal and LaBxNy insulating layers for flexible device applications
基于并五苯的有机浮栅存储器，采用 N 掺杂 LaB6 金属和 LaBxNy 绝缘层，用于柔性器件应用
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Shun-ichiro Ohmi, Kyung Eun Park, Hideki Kamata, and Eun Ki Hong]
通讯作者： and Eun Ki Hong
共 147 条
    A study on integrated single organic semiconductor complementary transistors with top-gate structures
    • 批准号：
      15K13969
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Ohmi Shun-ichiro
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金