The invention of hafnium-based multi-bit non-volatile memory utilizing polarization/charge trap smart functions

利用极化/电荷陷阱智能功能的铪基多位非易失性存储器的发明

• 批准号: 19H00758
• 负责人: Ohmi Shun-ichiro
• 金额: $ 29.04万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H00758/
• 关键词: 分極; 電荷蓄積; 強誘電体; 高誘電率薄膜; 電子サイクロトロン共鳴（ECR）スパッタ法; 高周波（RF）マグネトロンスパッタ法; 不揮発性多値メモリ; Si表面原子レベル平坦化; 電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタ法; 高周波(RF)マグネトロンスパッタ法; 強誘電体薄膜; ECRスパッタ法; RFマグネトロンスパッタ法; 不揮発性メモリ

项目成果

Etching Control of HfN Encapsulating Layer for PtHf-Silicide Formation with Dopant Segregation Process

通过掺杂剂偏析工艺形成 PtHf-硅化物的 HfN 封装层的蚀刻控制

• DOI: 10.1587/transele.2018fup0003
• 发表时间: 2019
• 期刊: IEICE Transactions on Electronics
• 影响因子: 0.5
• 作者: S. Ohmi;Y. Tsukamoto;and R. M. D. Mailig
• 通讯作者: and R. M. D. Mailig

Scanning tunneling spectroscopy study of 20 nm-thick nitrogen-doped lanthanum hexaboride thin film

20 nm厚氮掺杂六硼化镧薄膜的扫描隧道光谱研究

• 发表时间: 2019
• 期刊: Vacuum
• 影响因子: 4
• 作者: K. Nagaoka;W. Hayami;S. Ohmi
• 通讯作者: S. Ohmi

The effect of post metallization annealing sequence on the Pt gate etching immunity of MFSFET with ferroelectric non-doped HfO2

金属化后退火顺序对铁电非掺杂 HfO2 MFSFET 的 Pt 栅极抗蚀刻能力的影响

• 发表时间: 2023
• 作者: Xinyue Zhang;Joong-Won Shin;Masakazu Tanuma;and Shun-ichiro Ohmi
• 通讯作者: and Shun-ichiro Ohmi

Investigation of the etching process for Pt gate electrode on the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped HfO2 thin films

Pt栅电极刻蚀工艺对5 nm厚非掺杂HfO2薄膜铁电性能的影响

• 发表时间: 2022
• 作者: Joong-Won Shin;Masakazu Tanuma;and Shun-ichiro Ohmi
• 通讯作者: and Shun-ichiro Ohmi

Hf-based Ferroelectric Thin Films for MFSFET Application

用于 MFSFET 应用的铪基铁电薄膜

• 发表时间: 2022
• 作者: 田沼 将一;Joong-Won Shin;大見 俊一郎;田沼将一，Joong-Won Shin，大見俊一郎;Joong-Won Shin and Shun-ichiro Ohmi
• 通讯作者: Joong-Won Shin and Shun-ichiro Ohmi