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Study on a new spin-orbit torque induced magnetization switching scheme and its application to three-terminal memory devices

一种新的自旋轨道力矩感应磁化切换方案及其在三端存储器件中的应用研究

基本信息

批准号：
15K13964
负责人：
Fukami Shunsuke
金额：
$ 2.41万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（30）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Current Status and Future Outlook of Three-Terminal Spintronics Devices

三端自旋电子器件的现状与未来展望

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Fukami;C. Zhang;S. DuttaGupta;A. Kurenkov;T. Anekawa;and H. Ohno
通讯作者：
and H. Ohno

スピン軌道トルク磁化反転とそのデバイス応用

自旋轨道扭矩磁化反转及其装置应用

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
深見俊輔;張　超亮;姉川哲朗;Samik DuttaGupta;Aleksandr Kurenkov;大野英男
通讯作者：
大野英男

Magnetization switching by spin-orbit torque in an antiferromagnet-ferromagnet bilayer system

DOI：
10.1038/nmat4566
发表时间：
2016-05-01
期刊：
NATURE MATERIALS
影响因子：
41.2
作者：
Fukami, Shunsuke;Zhang, Chaoliang;Ohno, Hideo
通讯作者：
Ohno, Hideo

Three-terminal spintronics devices with spin-orbit torque induced switching for ultra-low power and high-performance integrated circuits

用于超低功耗和高性能集成电路的具有自旋轨道扭矩感应开关的三端自旋电子器件

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Fukami;C. Zhang;S. DuttaGupta;A. Kunrekov;T. Anekawa;A. Ohkawara;and H. Ohno
通讯作者：
and H. Ohno

スピントロニクス集積回路 - 超低消費電力IoT社会の実現に向けて -

自旋电子集成电路 - 迈向超低功耗物联网社会的实现 -

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
深見俊輔;大野英男
通讯作者：
大野英男

DOI：
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作者：
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Fukami Shunsuke其他文献

小胞体ストレス不寛容性によるヒト一倍体細胞の不安定化

由于内质网应激不耐受导致人类单倍体细胞不稳定

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Borders William A.;Pervaiz Ahmed Z.;Fukami Shunsuke;Camsari Kerem Y.;Ohno Hideo;Datta Supriyo;矢口　完
通讯作者：
矢口　完

Nonlinear conductance in nanoscale CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis

具有垂直易轴的纳米级 CoFeB/MgO 磁隧道结的非线性电导

DOI：
10.1103/physrevb.107.094436
发表时间：
2023
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
Shinozaki Motoya;Igarashi Junta;Iwakiri Shuichi;Kitada Takahito;Hayakawa Keisuke;Jinnai Butsurin;Otsuka Tomohiro;Fukami Shunsuke;Kobayashi Kensuke;Ohno Hideo
通讯作者：
Ohno Hideo

External-Field-Robust Stochastic Magnetic Tunnel Junctions Using a Free Layer with Synthetic Antiferromagnetic Coupling

使用具有合成反铁磁耦合的自由层的外场鲁棒随机磁隧道结

DOI：
10.1103/physrevapplied.18.054085
发表时间：
2022
期刊：
Physical Review Applied
影响因子：
4.6
作者：
Kobayashi Keito;Hayakawa Keisuke;Igarashi Junta;Borders William A.;Kanai Shun;Ohno Hideo;Fukami Shunsuke
通讯作者：
Fukami Shunsuke

On Two Higher-Order Extensions of Model Checking

关于模型检查的两个高阶扩展

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Lau Yong-Chang;Chi Zhendong;Taniguchi Tomohiro;Kawaguchi Masashi;Shibata Goro;Kawamura Naomi;Suzuki Motohiro;Fukami Shunsuke;Fujimori Atsushi;Ohno Hideo;Hayashi Masamitsu;森野佳生;Naoki Kobayashi
通讯作者：
Naoki Kobayashi

Write-error rate of nanoscale magnetic tunnel junctions in the precessional regime

进动状态下纳米级磁隧道结的写入错误率

DOI：
10.1063/1.5121157
发表时间：
2019
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Saino Takaharu;Kanai Shun;Shinozaki Motoya;Jinnai Butsurin;Sato Hideo;Fukami Shunsuke;Ohno Hideo
通讯作者：
Ohno Hideo