Study on a new spin-orbit torque induced magnetization switching scheme and its application to three-terminal memory devices
Study on a new spin-orbit torque induced magnetization switching scheme and its application to three-terminal memory devices
一种新的自旋轨道力矩感应磁化切换方案及其在三端存储器件中的应用研究
批准号：
15K13964
负责人：
Fukami Shunsuke
金额：
$2.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
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DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, A. Kurenkov, T. Anekawa, and H. Ohno]
通讯作者：
and H. Ohno
スピン軌道トルク磁化反転とそのデバイス応用
自旋轨道扭矩磁化反转及其装置应用
自旋轨道扭矩磁化反转及其装置应用
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[深見俊輔, 張 超亮, 姉川哲朗, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, 大野英男]
通讯作者：
大野英男
DOI：
10.1038/nmat4566
发表时间：
2016-05-01
期刊：
NATURE MATERIALS
影响因子：
41.2
作者：
[Fukami, Shunsuke, Zhang, Chaoliang, Ohno, Hideo]
通讯作者：
Ohno, Hideo
Three-terminal spintronics devices with spin-orbit torque induced switching for ultra-low power and high-performance integrated circuits
用于超低功耗和高性能集成电路的具有自旋轨道扭矩感应开关的三端自旋电子器件
用于超低功耗和高性能集成电路的具有自旋轨道扭矩感应开关的三端自旋电子器件
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, A. Kunrekov, T. Anekawa, A. Ohkawara, and H. Ohno]
通讯作者：
and H. Ohno
スピントロニクス集積回路 - 超低消費電力IoT社会の実現に向けて -
自旋电子集成电路 - 迈向超低功耗物联网社会的实现 -
自旋电子集成电路 - 迈向超低功耗物联网社会的实现 -
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[深見俊輔, 大野英男]
通讯作者：
大野英男
共 23 条
Novel magnetic domain wall motion scheme in ultra-narrow planar wire and its evolution to three-dimensional device
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批准号：15H05521
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$9.73万
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财政年份：2015
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负责人：Fukami Shunsuke
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依托单位：
海外基金