权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Novel magnetic domain wall motion scheme in ultra-narrow planar wire and its evolution to three-dimensional device

超窄平面线中新型磁畴壁运动方案及其向三维器件的演化

基本信息

批准号：
15H05521
负责人：
Fukami Shunsuke
金额：
$ 9.73万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Spin-orbit torque switching for high-speed nonvolatile memory applications

适用于高速非易失性存储器应用的自旋轨道扭矩切换

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Fukami;C. Zhang;W. A. Borders;A. Kurenkov;S. DuttaGupta;and H. Ohno
通讯作者：
and H. Ohno

An analog spin-orbit torque device for edge artificial intelligence

用于边缘人工智能的模拟自旋轨道扭矩装置

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Fukami;W. A. Borders;A. Kurenkov;H. Akima;S. Moriya;S. Kurihara;Y. Horio;S. Sato;and H. Ohno
通讯作者：
and H. Ohno

電流誘起磁壁移動特性の細線幅依存性

电流感应畴壁位移特性的线宽依赖性

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
岩渕透;深見俊輔;大野英男
通讯作者：
大野英男

Current Status and Future Outlook of Three-Terminal Spintronics Devices

三端自旋电子器件的现状与未来展望

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Fukami;C. Zhang;S. DuttaGupta;A. Kurenkov;T. Anekawa;and H. Ohno
通讯作者：
and H. Ohno

Magnetization switching schemes for nanoscale three-terminal spintronics devices

DOI：
10.7567/jjap.56.0802a1
发表时间：
2017-06
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
S. Fukami;H. Ohno
通讯作者：
S. Fukami;H. Ohno

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Fukami Shunsuke其他文献

小胞体ストレス不寛容性によるヒト一倍体細胞の不安定化

由于内质网应激不耐受导致人类单倍体细胞不稳定

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Borders William A.;Pervaiz Ahmed Z.;Fukami Shunsuke;Camsari Kerem Y.;Ohno Hideo;Datta Supriyo;矢口　完
通讯作者：
矢口　完

Nonlinear conductance in nanoscale CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis

具有垂直易轴的纳米级 CoFeB/MgO 磁隧道结的非线性电导

DOI：
10.1103/physrevb.107.094436
发表时间：
2023
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
Shinozaki Motoya;Igarashi Junta;Iwakiri Shuichi;Kitada Takahito;Hayakawa Keisuke;Jinnai Butsurin;Otsuka Tomohiro;Fukami Shunsuke;Kobayashi Kensuke;Ohno Hideo
通讯作者：
Ohno Hideo

External-Field-Robust Stochastic Magnetic Tunnel Junctions Using a Free Layer with Synthetic Antiferromagnetic Coupling

使用具有合成反铁磁耦合的自由层的外场鲁棒随机磁隧道结

DOI：
10.1103/physrevapplied.18.054085
发表时间：
2022
期刊：
Physical Review Applied
影响因子：
4.6
作者：
Kobayashi Keito;Hayakawa Keisuke;Igarashi Junta;Borders William A.;Kanai Shun;Ohno Hideo;Fukami Shunsuke
通讯作者：
Fukami Shunsuke

On Two Higher-Order Extensions of Model Checking

关于模型检查的两个高阶扩展

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Lau Yong-Chang;Chi Zhendong;Taniguchi Tomohiro;Kawaguchi Masashi;Shibata Goro;Kawamura Naomi;Suzuki Motohiro;Fukami Shunsuke;Fujimori Atsushi;Ohno Hideo;Hayashi Masamitsu;森野佳生;Naoki Kobayashi
通讯作者：
Naoki Kobayashi

Write-error rate of nanoscale magnetic tunnel junctions in the precessional regime

进动状态下纳米级磁隧道结的写入错误率

DOI：
10.1063/1.5121157
发表时间：
2019
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Saino Takaharu;Kanai Shun;Shinozaki Motoya;Jinnai Butsurin;Sato Hideo;Fukami Shunsuke;Ohno Hideo
通讯作者：
Ohno Hideo