Novel magnetic domain wall motion scheme in ultra-narrow planar wire and its evolution to three-dimensional device
Novel magnetic domain wall motion scheme in ultra-narrow planar wire and its evolution to three-dimensional device
超窄平面线中新型磁畴壁运动方案及其向三维器件的演化
批准号：
15H05521
负责人：
Fukami Shunsuke
金额：
$9.73万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Spin-orbit torque switching for high-speed nonvolatile memory applications
适用于高速非易失性存储器应用的自旋轨道扭矩切换
适用于高速非易失性存储器应用的自旋轨道扭矩切换
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Fukami, C. Zhang, W. A. Borders, A. Kurenkov, S. DuttaGupta, and H. Ohno]
通讯作者：
and H. Ohno
An analog spin-orbit torque device for edge artificial intelligence
用于边缘人工智能的模拟自旋轨道扭矩装置
用于边缘人工智能的模拟自旋轨道扭矩装置
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, H. Akima, S. Moriya, S. Kurihara, Y. Horio, S. Sato, and H. Ohno]
通讯作者：
and H. Ohno
電流誘起磁壁移動特性の細線幅依存性
电流感应畴壁位移特性的线宽依赖性
电流感应畴壁位移特性的线宽依赖性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩渕透, 深見俊輔, 大野英男]
通讯作者：
大野英男
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, A. Kurenkov, T. Anekawa, and H. Ohno]
通讯作者：
and H. Ohno
DOI：
10.7567/jjap.56.0802a1
发表时间：
2017-06
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[S. Fukami;H. Ohno]
通讯作者：
S. Fukami;H. Ohno
共 38 条
Study on a new spin-orbit torque induced magnetization switching scheme and its application to three-terminal memory devices
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批准号：15K13964
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.41万
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财政年份：2015
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负责人：Fukami Shunsuke
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依托单位：
海外基金