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Development of the artificial design technique of the energy dependence of the spin polarization
自旋极化能量依赖性人工设计技术的发展
基本信息
- 批准号：26630123
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（20）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
強磁性半導体の材料開拓と強磁性発現機構の理解
开发铁磁半导体材料并了解铁磁性机制
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：大矢忍;宗田伊理也;若林勇希;小林正起;坂本祥哉;竹田幸治;伴芳祐;藤森淳;田中雅明
- 通讯作者：田中雅明
Identification of impurity band and valence band in GaMnAs by tunneling anisotropic magnetoresistance spectroscopy
隧道各向异性磁阻光谱识别GaMnAs中的杂质带和价带
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Iriya Muneta;Toshiki Kanaki;Shinobu Ohya;and Masaaki Tanaka
- 通讯作者：and Masaaki Tanaka
Increase of tunneling magnetoresistance in trilayer structures composed of group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex, MgO, and Fe
由 IV 族铁磁半导体 Ge1-xFex、MgO 和 Fe 组成的三层结构中隧道磁阻的增加
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kosuke Takiguchi;Yuki K. Wakabayashi;Kohei Okamoto;Yoshisuke Ban;Masaaki Tanaka;and Shinobu Ohya
- 通讯作者：and Shinobu Ohya
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Ohya Shinobu其他文献
研磨の見える化（評価技術）とその技術動向
抛光可视化（评价技术）及其技术趋势
- DOI：
- 发表时间：
2014 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Anh Le Duc;Okamoto Noboru;Seki Munetoshi;Tabata Hitoshi;Tanaka Masaaki;Ohya Shinobu;畝田道雄 - 通讯作者：
畝田道雄
Improved performance of a GaMnAs-based vertical spin electric double-layer transistor
GaMnAs基垂直自旋电双层晶体管的性能改进
- DOI：
10.7567/jjap.57.090301 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Kanaki Toshiki;Yamasaki Hiroki;Terada Hiroshi;Iwasa Yoshihiro;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki - 通讯作者：
Tanaka Masaaki
Ag, AlおよびGaを用いた紫外プラズモ二クスによるZnO薄膜の発光増強
使用 Ag、Al 和 Ga 的紫外等离子体激元增强 ZnO 薄膜的发光
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kaneta-Takada Shingo;Kitamura Miho;Arai Shoma;Arai Takuma;Okano Ryo;Anh Le Duc;Endo Tatsuro;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Kobayashi Masaki;Seki Munetoshi;Tabata Hitoshi;Tanaka Masaaki;Ohya Shinobu;遠藤創志，中塚祐哉，松山哲也，和田健司，岡本晃一 - 通讯作者：
遠藤創志，中塚祐哉，松山哲也，和田健司，岡本晃一
五訂版 ＧＩＳと地理空間情報
第五版 GIS 和地理空间信息
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Terada Hiroshi;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki;橋本 雄一 - 通讯作者：
橋本 雄一
教育機関における合理的配慮の現状と課題--教科書のアクセシビリティと大学における支援を中心に--
教育机构合理便利的现状和挑战——重点关注大学教科书的可及性和支持——
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kanaki Toshiki;Yamasaki Hiroki;Koyama Tomohiro;Chiba Daichi;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki;中野泰志 - 通讯作者：
中野泰志
Ohya Shinobu的其他文献
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{{ truncateString('Ohya Shinobu', 18)}}的其他基金
Novel ultra low-power magnetization switching using electron-orbital control
使用电子轨道控制的新型超低功耗磁化开关
- 批准号：
19K21960 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Innovative and highly efficient spin-current control by ultra-high quality-heteroepitaxial-growth technology
通过超高质量异质外延生长技术实现创新高效的自旋电流控制
- 批准号：
18H03860 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Next generation spin transistors using high-quality interfaces
使用高质量接口的下一代自旋晶体管
- 批准号：
26249039 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似海外基金
分子線エピタキシー法による鉄系超伝導Ba122エピタキシャル薄膜の物性開拓
利用分子束外延技术开发铁基超导 Ba122 外延薄膜的物理性能
- 批准号：
22KJ1252 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Astrophysical and Cosmological Information Content in Anisotropies of the Near and Far-IR Background and Intensity Fluctuations of Atomic and Molecular Lines
近、远红外背景各向异性以及原子和分子谱线强度涨落的天体物理和宇宙学信息内容
- 批准号：
1313319 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Standard Grant
分子線エピタキシー法を用いた新奇重い電子系超伝導の創出とその研究
利用分子束外延技术创建和研究新型重电子超导
- 批准号：
12J01649 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
分子線エピタキシー法による鉄系超伝導薄膜の成長と超伝導接合の作製
铁基超导薄膜的生长和分子束外延超导结的制备
- 批准号：
12J10465 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
分子線エピタキシー法による酸化ガリウム系深紫外発光ダイオードの作製と評価
分子束外延法制备氧化镓基深紫外发光二极管并对其进行评价
- 批准号：
08J06591 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
GaAs基板上におけるGaInNAs結晶の高品質分子線エピタキシー成長
GaInNAs 晶体在 GaAs 衬底上的高质量分子束外延生长
- 批准号：
06F06129 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
分子線エピタキシー法による自己形成量子ドット成長のその場時分割X線回折
分子束外延生长自组装量子点的原位时间分辨X射线衍射
- 批准号：
15760014 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
分子線エピタキシー法による1μm波長帯GaN/AlN量子カスケードレーザの開発
采用分子束外延法开发1μm波段GaN/AlN量子级联激光器
- 批准号：
13750315 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
硫化亜鉛系半導体の硫黄圧制御分子線エピタキシーの初期過程の制御と紫外レーザの作製
硫化锌基半导体硫压控制分子束外延初始过程控制及紫外激光器制备
- 批准号：
13750014 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
有機分子線エピタキシーによる青色レーザー分子固体の探索
通过有机分子束外延寻找蓝色激光分子固体
- 批准号：
12875004 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research