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Next generation spin transistors using high-quality interfaces
使用高质量接口的下一代自旋晶体管
基本信息
- 批准号：26249039
- 负责人：
- 金额：$ 26.54万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（129）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Origin of the large magnetoresistance in Ge1－xMnx granular thin films
Ge1－xMnx颗粒薄膜大磁阻的起源
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：若林勇希;秋山了太;竹田幸治;堀尾眞史;芝田悟朗;坂本祥哉;伴芳祐;斎藤祐児;山上浩志;藤森淳;田中雅明;大矢忍
- 通讯作者：大矢忍
Recent progress in III-V based ferromagnetic semiconductors: Band structure. fermi level, and tunneling transport (invited paper)
III-V 族铁磁半导体的最新进展：能带结构。
- DOI：10.1063/1.4840136
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：15
- 作者：Masaaki Tanaka;Shinobu Ohya;and Pham Nam Hai (invited)
- 通讯作者：and Pham Nam Hai (invited)
Anisotropic magnetization-direction dependence of the band structure in the perovskite oxide La0.6Sr0.4MnO3
钙钛矿氧化物 La0.6Sr0.4MnO3 中能带结构的各向异性磁化方向依赖性
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Noboru Okamoto;Le Duc Anh;Kento Takeshima;Tatsuya Matou;Masaaki Tanaka;and Shinobu Ohya
- 通讯作者：and Shinobu Ohya
Large current modulation ratio up to 130% in a GaMnAs-based all-solid-state vertical spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
大%20电流%20调制%20比率%20up%20to%20130%%20in%20a%20GaMnAs基%20全固态%20垂直%20旋转%20金属氧化物半导体%20场效应%20晶体管
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Toshiki Kanaki;Hiroki Yamasaki;Tomohiro Koyama;Daichi Chiba;Shinobu Ohya;Masaaki Tanaka
- 通讯作者：Masaaki Tanaka
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- 作者：
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Ohya Shinobu其他文献
研磨の見える化（評価技術）とその技術動向
抛光可视化（评价技术）及其技术趋势
- DOI：
- 发表时间：
2014 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Anh Le Duc;Okamoto Noboru;Seki Munetoshi;Tabata Hitoshi;Tanaka Masaaki;Ohya Shinobu;畝田道雄 - 通讯作者：
畝田道雄
Improved performance of a GaMnAs-based vertical spin electric double-layer transistor
GaMnAs基垂直自旋电双层晶体管的性能改进
- DOI：
10.7567/jjap.57.090301 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Kanaki Toshiki;Yamasaki Hiroki;Terada Hiroshi;Iwasa Yoshihiro;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki - 通讯作者：
Tanaka Masaaki
Ag, AlおよびGaを用いた紫外プラズモ二クスによるZnO薄膜の発光増強
使用 Ag、Al 和 Ga 的紫外等离子体激元增强 ZnO 薄膜的发光
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kaneta-Takada Shingo;Kitamura Miho;Arai Shoma;Arai Takuma;Okano Ryo;Anh Le Duc;Endo Tatsuro;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Kobayashi Masaki;Seki Munetoshi;Tabata Hitoshi;Tanaka Masaaki;Ohya Shinobu;遠藤創志，中塚祐哉，松山哲也，和田健司，岡本晃一 - 通讯作者：
遠藤創志，中塚祐哉，松山哲也，和田健司，岡本晃一
五訂版 ＧＩＳと地理空間情報
第五版 GIS 和地理空间信息
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Terada Hiroshi;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki;橋本 雄一 - 通讯作者：
橋本 雄一
教育機関における合理的配慮の現状と課題--教科書のアクセシビリティと大学における支援を中心に--
教育机构合理便利的现状和挑战——重点关注大学教科书的可及性和支持——
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kanaki Toshiki;Yamasaki Hiroki;Koyama Tomohiro;Chiba Daichi;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki;中野泰志 - 通讯作者：
中野泰志
Ohya Shinobu的其他文献
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{{ truncateString('Ohya Shinobu', 18)}}的其他基金
Novel ultra low-power magnetization switching using electron-orbital control
使用电子轨道控制的新型超低功耗磁化开关
- 批准号：
19K21960 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Innovative and highly efficient spin-current control by ultra-high quality-heteroepitaxial-growth technology
通过超高质量异质外延生长技术实现创新高效的自旋电流控制
- 批准号：
18H03860 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of the artificial design technique of the energy dependence of the spin polarization
自旋极化能量依赖性人工设计技术的发展
- 批准号：
26630123 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
高密度プラズマ支援製膜によるナノ構造制御次世代酸化物半導体薄膜低温形成法の創成
利用高密度等离子体辅助沉积创建具有纳米结构控制的下一代氧化物半导体薄膜低温形成方法
- 批准号：
23K21051 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高性能三次元素子を目指したALD法による金属酸化物半導体の薄膜形成技術の研究
针对高性能三次元元素的ALD法金属氧化物半导体薄膜形成技术研究
- 批准号：
23K23226 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
酸化物半導体が駆動する次世代強誘電体メモリデバイスの大規模集積化に関する研究
氧化物半导体驱动的下一代铁电存储器件大规模集成研究
- 批准号：
24H00309 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
酸化物半導体表面プラズモンの電気的制御によるウインドウクロミックの創成
通过氧化物半导体表面等离子体的电控制创建窗口变色
- 批准号：
24K00917 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
透明酸化物半導体の大型単結晶の育成とその特異な伝導特性機構の解明
透明氧化物半导体大单晶的生长及其独特的导电特性机制的阐明
- 批准号：
24K07563 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
p型酸化物半導体を用いた酸化物トンネル電界効果型トランジスタの開発
使用p型氧化物半导体的氧化物隧道场效应晶体管的开发
- 批准号：
24K08254 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体光触媒に担持された金属酸化物ナノ粒子の水の酸化反応に対する擬過電圧調査
半导体光催化剂负载金属氧化物纳米颗粒水氧化反应的赝超电势研究
- 批准号：
24K17767 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
原子層プロセスによる結晶性酸化物半導体の高品位な合成と集積デバイス応用
使用原子层处理和集成器件应用高质量合成晶体氧化物半导体
- 批准号：
23K19123 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
ALD法による多元系金属酸化物半導体の形成および高性能三次元素子の作製
ALD法多元金属氧化物半导体的形成及高性能三元元件的生产
- 批准号：
23KJ1590 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体レーザーによる酸化物半導体の単結晶帯成長と高性能フレキシブルデバイスの創出
使用半导体激光器的氧化物半导体单晶带生长及高性能柔性器件的制作
- 批准号：
22K14303 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists