III-V semiconductor-based spin transistors: fabrication technique
III-V semiconductor-based spin transistors: fabrication technique
基于 III-V 族半导体的自旋晶体管：制造技术
批准号：
26630150
负责人：
Nakane Ryohso
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
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Structurral, magnetic, and electrical properties of thermally-formed MnP electrodes on InP(001)
InP(001) 上热成型 MnP 电极的结构、磁性和电学特性
InP(001) 上热成型 MnP 电极的结构、磁性和电学特性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[G. Song, R. Nakane, and M. Tanaka]
通讯作者：
and M. Tanaka
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