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Memory device based on impurity nuclear spins in gate insulating layer of MOS device
基于MOS器件栅绝缘层杂质核自旋的存储器件
基本信息
- 批准号：26630167
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（18）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Spin blockade in a double quantum dot containing three electrons
- DOI：10.1103/physrevb.89.085302
- 发表时间：2014-02
- 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：S. Amaha;W. Izumida;T. Hatano;S. Tarucha;K. Kono;K. Ono
- 通讯作者：S. Amaha;W. Izumida;T. Hatano;S. Tarucha;K. Kono;K. Ono
短チャネルトンネル電界効果トランジスタにおける深い準位を介した単一電子輸送
短沟道场效应晶体管中深能级的单电子传输
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：大野圭司;森貴洋;森山悟士
- 通讯作者：森山悟士
短チャネルトンネルトランジスタにおける結合量子ドット的電子輸送とマイクロ波応答
短沟道隧道晶体管中的耦合量子点电子传输和微波响应
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：森山悟士;森貴洋;大野圭司
- 通讯作者：大野圭司
シリコンMOS素子における単一電子スピン効果
硅MOS器件中的单电子自旋效应
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Mori;Y. Morita;S. Migita;K. Hukuda;Q. Mizubayashi;T. Yasuda;M. Masahoku;T. Matsukawa;H. Ota;S. Moriyama;K. Ono;S. Iizuka;T. Nakayama;大野圭司
- 通讯作者：大野圭司
シリコントンネルトランジスタにおける深い準位を介した単一電子輸送とマイクロ波応答
硅隧道晶体管中深能级的单电子传输和微波响应
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：森山悟士;森貴洋;大野圭司
- 通讯作者：大野圭司
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Ono Keiji其他文献
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{{ truncateString('Ono Keiji', 18)}}的其他基金
Spin qubits compatible with silicon MOS technology and their large-scale integration
与硅MOS技术兼容的自旋量子位及其大规模集成
- 批准号：
15H04000 - 财政年份：2015
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受福岛核电站事故影响的动物档案对辐射效应分析有用吗？
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23K11429 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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激光等离子体加速质子束核自旋控制面临的挑战
- 批准号：
22KJ2268 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号：
23K13775 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists