Memory device based on impurity nuclear spins in gate insulating layer of MOS device
Memory device based on impurity nuclear spins in gate insulating layer of MOS device
基于MOS器件栅绝缘层杂质核自旋的存储器件
批准号：
26630167
负责人：
Ono Keiji
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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DOI：
10.1103/physrevb.89.085302
发表时间：
2014-02
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
[S. Amaha;W. Izumida;T. Hatano;S. Tarucha;K. Kono;K. Ono]
通讯作者：
S. Amaha;W. Izumida;T. Hatano;S. Tarucha;K. Kono;K. Ono
短チャネルトンネル電界効果トランジスタにおける深い準位を介した単一電子輸送
短沟道场效应晶体管中深能级的单电子传输
短沟道场效应晶体管中深能级的单电子传输
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大野圭司, 森貴洋, 森山悟士]
通讯作者：
森山悟士
短チャネルトンネルトランジスタにおける結合量子ドット的電子輸送とマイクロ波応答
短沟道隧道晶体管中的耦合量子点电子传输和微波响应
短沟道隧道晶体管中的耦合量子点电子传输和微波响应
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森山悟士, 森貴洋, 大野圭司]
通讯作者：
大野圭司
シリコンMOS素子における単一電子スピン効果
硅MOS器件中的单电子自旋效应
硅MOS器件中的单电子自旋效应
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Mori, Y. Morita, S. Migita, K. Hukuda, Q. Mizubayashi, T. Yasuda, M. Masahoku, T. Matsukawa, H. Ota, S. Moriyama, K. Ono, S. Iizuka, T. Nakayama, 大野圭司]
通讯作者：
大野圭司
シリコントンネルトランジスタにおける深い準位を介した単一電子輸送とマイクロ波応答
硅隧道晶体管中深能级的单电子传输和微波响应
硅隧道晶体管中深能级的单电子传输和微波响应
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森山悟士, 森貴洋, 大野圭司]
通讯作者：
大野圭司
共 17 条
Spin qubits compatible with silicon MOS technology and their large-scale integration
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批准号：15H04000
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.65万
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财政年份：2015
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负责人：Ono Keiji
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依托单位：
海外基金