Spin qubits compatible with silicon MOS technology and their large-scale integration
Spin qubits compatible with silicon MOS technology and their large-scale integration
与硅MOS技术兼容的自旋量子位及其大规模集成
批准号：
15H04000
负责人：
Ono Keiji
金额：
$10.65万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2020-03-31
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Quantum-dot devices in CMOS-compatible tunnel field-effect transistors (TFETs)
CMOS 兼容隧道场效应晶体管 (TFET) 中的量子点器件
CMOS 兼容隧道场效应晶体管 (TFET) 中的量子点器件
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Satoshi Moriyama, Takahiro Mori, Keiji Ono,]
通讯作者：
Keiji Ono,
Single charge and single spin effect in silicon CMOS devices
硅 CMOS 器件中的单电荷和单自旋效应
硅 CMOS 器件中的单电荷和单自旋效应
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森山悟士, 森貴洋, 大野圭司, K. Ono]
通讯作者：
K. Ono
シリコン量子系のスピン制御、シンポジウムハイブリッド量子系における電磁界制御
硅量子系统的自旋控制、研讨会混合量子系统中的电磁场控制
硅量子系统的自旋控制、研讨会混合量子系统中的电磁场控制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Lin Wensheng, He Xin, Juntti Markku, Matsumoto Tad, 大野圭司]
通讯作者：
大野圭司
最近の半導体量子ドット・スピン量子ビット研究を理解するための基礎知識
了解最新半导体量子点和自旋量子位研究的基础知识
了解最新半导体量子点和自旋量子位研究的基础知识
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. Zhao, J.W.Liu, L.W. Sang, M.Y. Liao,* D. Coatchup, M. Imura. C.Z.Gu, H. Ye, 大野圭司]
通讯作者：
大野圭司
Emerging Quantum Information Technologies (panelist of rump session)
新兴量子信息技术（尾部会议嘉宾）
新兴量子信息技术（尾部会议嘉宾）
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nakamura, Y. Takahashi, Y. Tanaka, T. Asano, and S. Noda, K. Ono]
通讯作者：
K. Ono
共 14 条
Memory device based on impurity nuclear spins in gate insulating layer of MOS device
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批准号：26630167
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2014
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负责人：Ono Keiji
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依托单位：
海外基金