Development of novel atomic-layer-deposition plasma PVD processes for efficient and high-rate reactive film-formation processes
Development of novel atomic-layer-deposition plasma PVD processes for efficient and high-rate reactive film-formation processes
开发新型原子层沉积等离子体 PVD 工艺，实现高效、高速反应成膜工艺
批准号：
26630335
负责人：
Setsuhara Yuichi
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
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Process Controllability of ICP-Enhanced Reactive Sputter Deposition for Low-Temperature Formation of IGZO TFT
用于低温形成 IGZO TFT 的 ICP 增强反应溅射沉积的工艺可控性
用于低温形成 IGZO TFT 的 ICP 增强反应溅射沉积的工艺可控性
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Setsuhara, K. Takenaka, G. Uchida and A. Ebe]
通讯作者：
G. Uchida and A. Ebe
ICP-Enhanced Reactivity-Controlled Sputter Deposition of a-IGZO Films for Thin Film Transistor Applications
用于薄膜晶体管应用的 a-IGZO 薄膜的 ICP 增强反应性控制溅射沉积
用于薄膜晶体管应用的 a-IGZO 薄膜的 ICP 增强反应性控制溅射沉积
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yuichi Setsuhara, Keitaro Nakata, Kosuke Takenaka, Giichiro Uchida, Akinori Ebe]
通讯作者：
Akinori Ebe
Low-Temperature Formation of a-IGZO TFTs with ICP-Enhanced Reactivity-Controlled Sputter Deposition
采用 ICP 增强反应性控制溅射沉积低温形成 a-IGZO TFT
采用 ICP 增强反应性控制溅射沉积低温形成 a-IGZO TFT
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yuichi Setsuhara, Kosuke Takenaka, Keitaro Nakata, Giichiro Uchida, Akinori Ebe]
通讯作者：
Akinori Ebe
Low-temperature formation of amorphous InGaZnOx films with inductively coupled plasma-enhanced reactive sputter deposition
采用电感耦合等离子体增强反应溅射沉积低温形成非晶 InGaZnOx 薄膜
采用电感耦合等离子体增强反应溅射沉积低温形成非晶 InGaZnOx 薄膜
DOI：
10.7567/jjap.54.06gc02
发表时间：
2015
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Kosuke Takenaka, Ken Cho, Yasufumi Ohchi, Hirofumi Otani, Giichiro Uchida, Yuichi Setsuhara]
通讯作者：
Yuichi Setsuhara
RF plasma sources for PECVD and soft-material processes
用于 PECVD 和软材料工艺的射频等离子体源
用于 PECVD 和软材料工艺的射频等离子体源
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Setsuhara, S. Osaki, K. Takenaka and A. Ebe]
通讯作者：
K. Takenaka and A. Ebe
共 14 条
Development of advanced reactive plasma-enhanced processes for low-temperature large-area formation of next-generation oxide semiconductor devices
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批准号：16H04509
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.07万
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财政年份：2016
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负责人：Setsuhara Yuichi
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依托单位：