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Development of novel atomic-layer-deposition plasma PVD processes for efficient and high-rate reactive film-formation processes
开发新型原子层沉积等离子体 PVD 工艺，实现高效、高速反应成膜工艺
基本信息
- 批准号：26630335
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（28）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Process Controllability of ICP-Enhanced Reactive Sputter Deposition for Low-Temperature Formation of IGZO TFT
用于低温形成 IGZO TFT 的 ICP 增强反应溅射沉积的工艺可控性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Setsuhara;K. Takenaka;G. Uchida and A. Ebe
- 通讯作者：G. Uchida and A. Ebe
ICP-Enhanced Reactivity-Controlled Sputter Deposition of a-IGZO Films for Thin Film Transistor Applications
用于薄膜晶体管应用的 a-IGZO 薄膜的 ICP 增强反应性控制溅射沉积
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yuichi Setsuhara;Keitaro Nakata;Kosuke Takenaka;Giichiro Uchida;Akinori Ebe
- 通讯作者：Akinori Ebe
Low-Temperature Formation of a-IGZO TFTs with ICP-Enhanced Reactivity-Controlled Sputter Deposition
采用 ICP 增强反应性控制溅射沉积低温形成 a-IGZO TFT
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yuichi Setsuhara;Kosuke Takenaka;Keitaro Nakata;Giichiro Uchida;Akinori Ebe
- 通讯作者：Akinori Ebe
Low-temperature formation of amorphous InGaZnOx films with inductively coupled plasma-enhanced reactive sputter deposition
采用电感耦合等离子体增强反应溅射沉积低温形成非晶 InGaZnOx 薄膜
- DOI：10.7567/jjap.54.06gc02
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Kosuke Takenaka;Ken Cho;Yasufumi Ohchi;Hirofumi Otani;Giichiro Uchida;Yuichi Setsuhara
- 通讯作者：Yuichi Setsuhara
RF plasma sources for PECVD and soft-material processes
用于 PECVD 和软材料工艺的射频等离子体源
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Setsuhara;S. Osaki;K. Takenaka and A. Ebe
- 通讯作者：K. Takenaka and A. Ebe
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Setsuhara Yuichi其他文献
Plasma processing technique by combination of plasma-assisted reactive sputtering and plasma annealing for uniform electrical characteristics of InGaZnO thin film transistors formed on large-area substrates
等离子体辅助反应溅射和等离子体退火相结合的等离子体处理技术，可在大面积基板上形成均匀的 InGaZnO 薄膜晶体管的电特性
- DOI：
10.35848/1347-4065/acbd56 - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Takenaka Kosuke;Yoshitani Tomoki;Endo Masashi;Hirayama Hiroyuki;Toko Susumu;Uchida Giichiro;Ebe Akinori;Setsuhara Yuichi - 通讯作者：
Setsuhara Yuichi
Low-temperature formation of high-mobility a-InGaZnOx films using plasma-enhanced reactive processes
使用等离子体增强反应工艺低温形成高迁移率 a-InGaZnOx 薄膜
- DOI：
10.7567/1347-4065/ab219c - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Takenaka Kosuke;Endo Masashi;Hirayama Hiroyuki;Uchida Giichiro;Ebe Akinori;Setsuhara Yuichi - 通讯作者：
Setsuhara Yuichi
Effect of gas flow rate and discharge volume on CO<sub>2</sub> methanation with plasma catalysis
气体流量和排放量对等离子体催化CO<sub>2</sub>甲烷化的影响
- DOI：
10.35848/1347-4065/ac4822 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Toko Susumu;Ideguchi Masashi;Hasegawa Taiki;Okumura Takamasa;Kamataki Kunihiro;Takenaka Kosuke;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu;Setsuhara Yuichi - 通讯作者：
Setsuhara Yuichi
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Development of advanced reactive plasma-enhanced processes for low-temperature large-area formation of next-generation oxide semiconductor devices
开发先进的反应等离子体增强工艺，用于低温大面积形成下一代氧化物半导体器件
- 批准号：
16H04509 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)