Development of advanced reactive plasma-enhanced processes for low-temperature large-area formation of next-generation oxide semiconductor devices
Development of advanced reactive plasma-enhanced processes for low-temperature large-area formation of next-generation oxide semiconductor devices
批准号:
16H04509
负责人:
Setsuhara Yuichi
金额:
$11.07万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Low-temperature formation of high-mobility a-InGaZnOx films using plasma-enhanced reactive processes
使用等离子体增强反应工艺低温形成高迁移率 a-InGaZnOx 薄膜
DOI:
10.7567/1347-4065/ab219c
发表时间:
2019
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[Takenaka Kosuke, Endo Masashi, Hirayama Hiroyuki, Uchida Giichiro, Ebe Akinori, Setsuhara Yuichi]
通讯作者:
Setsuhara Yuichi
Low-temperature formation of high-mobility InGaZnOx thin film transistor by ICP-enhanced reactive plasma processes
通过 ICP 增强反应等离子体工艺低温形成高迁移率 InGaZnOx 薄膜晶体管
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yuichi Setsuhara, Kosuke Takenaka, Masashi Endo, Tomoki Yoshitani, Giichiro Uchida, Akinori Ebe]
通讯作者:
Akinori Ebe
反応性プラズマプロセスを用いた機能性薄膜合成
使用反应等离子体工艺合成功能薄膜
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[竹中 弘祐, 内田 儀一郎, 節原 裕一]
通讯作者:
節原 裕一
Low-Temperature Formation of High-Mobility IGZO Thin Film Transistors for Flexible Electrinics with ICP-Enhanced Reactive Plasma Processes
采用 ICP 增强反应等离子体工艺低温形成用于柔性电子器件的高迁移率 IGZO 薄膜晶体管
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kosuke Takenaka, Yuichi Setsuhara, Masashi Endo, Giichiro Uchida, Akinori Ebe]
通讯作者:
Akinori Ebe
Plasma-assisted reactive processes for low-temperature fabrication of high-mobility InGaZnOx TFTs
用于低温制造高迁移率 InGaZnOx TFT 的等离子体辅助反应工艺
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yuichi Setsuhara, Masashi Endo, Horoyuki Hirayama, Tomoki Yoshitani, Kosuke Takenaka, Giichiro Uchida, Akinori Ebe]
通讯作者:
Akinori Ebe
共 38 条
Development of novel atomic-layer-deposition plasma PVD processes for efficient and high-rate reactive film-formation processes
-
批准号:26630335
-
项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
-
资助金额:$2.5万
-
财政年份:2014
-
负责人:Setsuhara Yuichi
-
依托单位:
海外基金