刷新
{{item.name}}会员
Development of advanced reactive plasma-enhanced processes for low-temperature large-area formation of next-generation oxide semiconductor devices
开发先进的反应等离子体增强工艺，用于低温大面积形成下一代氧化物半导体器件
基本信息
- 批准号：16H04509
- 负责人：
- 金额：$ 11.07万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low-temperature formation of high-mobility a-InGaZnOx films using plasma-enhanced reactive processes
使用等离子体增强反应工艺低温形成高迁移率 a-InGaZnOx 薄膜
- DOI：10.7567/1347-4065/ab219c
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Takenaka Kosuke;Endo Masashi;Hirayama Hiroyuki;Uchida Giichiro;Ebe Akinori;Setsuhara Yuichi
- 通讯作者：Setsuhara Yuichi
Low-temperature formation of high-mobility InGaZnOx thin film transistor by ICP-enhanced reactive plasma processes
通过 ICP 增强反应等离子体工艺低温形成高迁移率 InGaZnOx 薄膜晶体管
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yuichi Setsuhara;Kosuke Takenaka;Masashi Endo;Tomoki Yoshitani;Giichiro Uchida;Akinori Ebe
- 通讯作者：Akinori Ebe
Low-Temperature Formation of High-Mobility IGZO Thin Film Transistors for Flexible Electrinics with ICP-Enhanced Reactive Plasma Processes
采用 ICP 增强反应等离子体工艺低温形成用于柔性电子器件的高迁移率 IGZO 薄膜晶体管
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kosuke Takenaka;Yuichi Setsuhara;Masashi Endo;Giichiro Uchida;Akinori Ebe
- 通讯作者：Akinori Ebe
Plasma-assisted reactive processes for low-temperature fabrication of high-mobility InGaZnOx TFTs
用于低温制造高迁移率 InGaZnOx TFT 的等离子体辅助反应工艺
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yuichi Setsuhara;Masashi Endo;Horoyuki Hirayama;Tomoki Yoshitani;Kosuke Takenaka;Giichiro Uchida;Akinori Ebe
- 通讯作者：Akinori Ebe
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Setsuhara Yuichi其他文献
Plasma processing technique by combination of plasma-assisted reactive sputtering and plasma annealing for uniform electrical characteristics of InGaZnO thin film transistors formed on large-area substrates
等离子体辅助反应溅射和等离子体退火相结合的等离子体处理技术，可在大面积基板上形成均匀的 InGaZnO 薄膜晶体管的电特性
- DOI：
10.35848/1347-4065/acbd56 - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Takenaka Kosuke;Yoshitani Tomoki;Endo Masashi;Hirayama Hiroyuki;Toko Susumu;Uchida Giichiro;Ebe Akinori;Setsuhara Yuichi - 通讯作者：
Setsuhara Yuichi
Effect of gas flow rate and discharge volume on CO<sub>2</sub> methanation with plasma catalysis
气体流量和排放量对等离子体催化CO<sub>2</sub>甲烷化的影响
- DOI：
10.35848/1347-4065/ac4822 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Toko Susumu;Ideguchi Masashi;Hasegawa Taiki;Okumura Takamasa;Kamataki Kunihiro;Takenaka Kosuke;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu;Setsuhara Yuichi - 通讯作者：
Setsuhara Yuichi
Setsuhara Yuichi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Setsuhara Yuichi', 18)}}的其他基金
Development of novel atomic-layer-deposition plasma PVD processes for efficient and high-rate reactive film-formation processes
开发新型原子层沉积等离子体 PVD 工艺，实现高效、高速反应成膜工艺
- 批准号：
26630335 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
超高密度反応性プラズマ法による窒化ホウ素ナノ結晶集合体構造の信頼性物理の研究
超高密度反应等离子体法氮化硼纳米晶聚集体结构可靠性物理研究
- 批准号：
23K26421 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超高密度反応性プラズマ法による窒化ホウ素ナノ結晶集合体構造の信頼性物理の研究
超高密度反应等离子体法氮化硼纳米晶聚集体结构可靠性物理研究
- 批准号：
23H01728 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高気圧非平衡反応性プラズマ制御による新規の球穀構造ナノシリコン物質探索
利用反气旋非平衡反应等离子体控制寻找新型晶粒结构纳米硅材料
- 批准号：
15654079 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
微重力反応性プラズマ中の微粒子成長
微重力反应等离子体中的微粒生长
- 批准号：
15654082 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
極度の熱力学的非平衡状態にある超音速反応性プラズマ流を用いた溶射法の研究
极端热力学非平衡态超音速反应等离子体流热喷涂研究
- 批准号：
14655273 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
反応性プラズマ中浮上帯電ダイヤモンドの3次元結晶成長法
悬浮在反应等离子体中的带电金刚石三维晶体生长方法
- 批准号：
13878082 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
非平衡反応性プラズマ制御によるC_<60>因子の高次構造クラスター形成
非平衡反应等离子体控制C_<60>因子高阶结构团簇形成
- 批准号：
12878072 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
反応性プラズマ流の機能制御による環境汚染物質の浄化
通过反应等离子体流的功能控制净化环境污染物
- 批准号：
10875038 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
極超音速飛行体空力加熱評価のための非平衡反応性プラズマ分光法の開発
开发用于评估高超声速飞行器气动加热的非平衡反应等离子体光谱
- 批准号：
09875249 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
反応性プラズマによる人工歯根のチタンコーティング
反应等离子体人工牙根钛涂层
- 批准号：
06914002 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)