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Development of advanced reactive plasma-enhanced processes for low-temperature large-area formation of next-generation oxide semiconductor devices

Development of advanced reactive plasma-enhanced processes for low-temperature large-area formation of next-generation oxide semiconductor devices
开发先进的反应等离子体增强工艺,用于低温大面积形成下一代氧化物半导体器件
批准号:
16H04509
负责人:
Setsuhara Yuichi
金额:
$11.07万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2020-03-31

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Low-temperature formation of high-mobility a-InGaZnOx films using plasma-enhanced reactive processes
使用等离子体增强反应工艺低温形成高迁移率 a-InGaZnOx 薄膜
DOI: 10.7567/1347-4065/ab219c
发表时间: 2019
期刊: Japanese Journal of Applied Physics
影响因子: 1.5
作者: [Takenaka Kosuke, Endo Masashi, Hirayama Hiroyuki, Uchida Giichiro, Ebe Akinori, Setsuhara Yuichi]
通讯作者: Setsuhara Yuichi
Low-temperature formation of high-mobility InGaZnOx thin film transistor by ICP-enhanced reactive plasma processes
通过 ICP 增强反应等离子体工艺低温形成高迁移率 InGaZnOx 薄膜晶体管
DOI: --
发表时间: 2019
期刊:
影响因子: --
作者: [Yuichi Setsuhara, Kosuke Takenaka, Masashi Endo, Tomoki Yoshitani, Giichiro Uchida, Akinori Ebe]
通讯作者: Akinori Ebe
反応性プラズマプロセスを用いた機能性薄膜合成
使用反应等离子体工艺合成功能薄膜
DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
作者: [竹中 弘祐, 内田 儀一郎, 節原 裕一]
通讯作者: 節原 裕一
Low-Temperature Formation of High-Mobility IGZO Thin Film Transistors for Flexible Electrinics with ICP-Enhanced Reactive Plasma Processes
采用 ICP 增强反应等离子体工艺低温形成用于柔性电子器件的高迁移率 IGZO 薄膜晶体管
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [Kosuke Takenaka, Yuichi Setsuhara, Masashi Endo, Giichiro Uchida, Akinori Ebe]
通讯作者: Akinori Ebe
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    Development of novel atomic-layer-deposition plasma PVD processes for efficient and high-rate reactive film-formation processes
    • 批准号:
      26630335
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.5万
    • 财政年份:
      2014
    • 负责人:
      Setsuhara Yuichi
    • 依托单位:
    海外基金